tõmbejõududest positiivsete ja neg ioonide vahel, mis tekivad elektronide üleminekul ühelt sidet moodustavalt aatomilt teisele. Iooniline side on suhteliselt tugev, ilma suunata side. 4.Defineerige elektroneutraalsuse kriteerium ioonilise sideme puhul? Ioonsete materjalide struktuuris peavad ioonid olema paigutatud nii, et säiliks materjali elektriline neutraalsus ka lokaalsel tasandil. St, et näiteks ioonse CaF2 ioonpaigutus peab olema selline, et iga Ca2+ iooni kohta on 2 F-iooni. 5.Millised on võimalikud kombineeritud sidemed 1.Iooniline-kovalentne, 2.metalliline-kovalentne, 3.metalliline-iooniline ja 4.iooniline- kovalentne-metalliline. 6.Koordinatsiooniarv HTP struktuuris? 12 7.Mis on kristallvõre defekt? Igasugune kõrvalkalle ideaalsest võre korrapärast. 8.Millised on difusiooni kiirust mõjutavad faktorid? Difuseeruva osakese suurus, dif mehanismis, temp, aine kristallmodifikatsioon. 9
põhjustatud elektrostaatilistest tõmbejõududest positiivsete ja negatiivsete ioonide vahel, mis tekivad elektronide üleminekul ühelt sidet moodustavalt aatomilt teisele.iooniline side on suhteliselt tugev, ilma suunata side. 4.Defineerige elektroneutraalsuse kriteerium ioonilise sideme puhul? ioonsete materjalide struktuuris peavad ioonid olema paigutatud nii, et säiliks materjali elektriline neutraalsus ka lokaalsel tasandil. St, et näiteks ioonse CaF2 ioonpaigutus peab olema selline, et iga Ca2+ iooni kohta on 2 F-iooni. 5.Millised on võimalikud kombineeritud sidemed1.Iooniline- kovalentne, 2. metalliline-kovalentne,3.metalliline-ioonilineja 4.ioonilinekovalentne-metalliline, 6.Koordinatsiooniarv HTP struktuuris?12. 7.Mis on kristallvõre defekt? Igasugune kõrvalkalle ideaalsest võre korraparast. 8.Millised on difusiooni kiirust mõjutavad faktorid? Difundeeruva osakese suurus, dif. mehhanismist, temp, aine kristallmodifikatsioon 9
Minimaalne /, mis lubab = 3 on / = 0,155 (joonis 2.24). / < 0,155 ei luba KA = 3; / suurenemisel on võimalik = 3. Alates / = 0,225 on võimalik kordinatsiooniarv 4 (joonis 2.24)) 3.2.5. Elektroneutraalsus ioonsetes materjalides (joonis 2.23) Ioonsete materjalide struktuuris peavad ioonid olema paigutatud nii, et säiluks materjali elektriline neutraalsus ka lokaalsel tasandil. See tähendab, et näiteks, ioonse CaF 2 ioonpaigutus peab olema selline, et iga Ca2+ iooni kohta on 2 F- iooni. 3.3. Kovalentne side (joonis 2.25) Suuna puudumine ioonilise sideme puhul tegi energeetiliselt soodsaks kolmemõõtmeliste struktuuride loomise. Seevastu kovalentne side, mida järgnevalt vaatleme, on tugevalt 22 suunatud side. Kovalentse sideme tekke aluseks on valentselektronide (välimiste s ja p
annaabi.ee 
