ELEMENTIDE RÜHMITAMISE PÕHIMÕTTED
: pooljuhtlaserites
valgusdioodides
kõrgsagedusgeneraatorites
transistorides
valgustundlikes elementides
In (lihtaine) – peam. kasutusalad
Ge ja Si äärmiselt tähtis lisand
(tekitab p-n ülemineku pooljuhtides)
p - aukjuhtivus n - elektronjuhtivus
↑
In
[Ge kristalli ühendatud In-kihiga kaetud kontakttraat –
see ongi pooljuhtdiood
p - n - p -struktuur: transistorid (pooljuhttrioodid)]
hermetiseeriv materjal vaakumseadistes ja kosmoseaparaatides
ühendusmaterjal piesoelektril. kristallidele
laagrite pinnakatted (vähendab hõõrdumist, pikendab laagrite eluiga)
kattematerjal peeglitele ja reflektoritele (õhuke pealmine kiht)
kergsulavate sulamite komponent
* joodised
* temperatuuripiirajad
* kaitsmed
* signalisatsiooniseadised
* tuumareaktorite kiirguskontuurides
3.5.1.4. Biotoime