elektrongaas. Kui asetada niisugune metalltükk elektrivälja siis hakkavad elektronid liikuma vastupidi väljatugevuse joontele ja juhi vastaskülgedele tekivad ühele poole tugev ,,-" laneg, teisele küljele aga ,, +" laeng. Elektrijuhile laengute lisamisel tõuseb tema potentsiaal võrdeliselt lisatud laenguga. Erinevad juhid omavad erinevat võimet laenguid koguda. Sealjuures jääb juhile antud laengu ja potentsiaali suhe püsivaks, mis iseloomustab juhi elektrimahtuvust (mahtuvust), ja teda tähistatakse tähega C. Keha mahtuvus näitab arvuliselt, kui palju suureneb keha potentsiaal, kui temale lisada laeng 1 C. 1 Farad on väga suur mahtuvuse ühik. See on keha, mille potentsiaal suureneb 1 V võrra, kui temale anda laeng 1 C. Praktikas kasutatakse väiksemaid ühikuid: 1 F = 10-6 F, 1 nF = 10-9 F, 1 pF = 10-12 F Kehade mahtuvus sõltub nende mõõtmetest ja teiste juhtide lähedusest. Kui kaks juhti on üksteise
juhis selles juhis esineva elektrivoolu tugevuse muutumise tõttu. Juhi induktiivsus Lnäitab, kui suur endainduktsiooni elektromotoorjõud tekib selles juhis voolutugevuse ühikulise muutumisel ajaühiku jooksul: e ühik: üks henri (1H) L= I t 1V 1s 1Wb 1H = = 1A 1A Võnkering elektrodünaamika idealiseeritud objekt, elektrimahtuvust ja induktiivsust sisaldav kinnine kontuur. Võnkering koosneb omavahel ühendatud poolist ja kondensaatorist. Thompsoni valem T = 2 LC T periood L induktiivsus C - mahtuvus Vahelduvvool elektrivool, mille korral voolutugevus perioodiliselt muutub. 1 1 T= = = 0,02 s = 20ms f 50 Hz OPTIKA LAINEOPTIKA Valgus kui elektromagnetlaine Elektromagnetlainete skaala Lainefront
Laetud Cu 2 C kondensaatori mahtuvus (1F), kondensaatori E= u vahelduvpinge hetkväärtus elektrivälja energia 2 Vooluga pooli Li 2 L pooli induktiivsus, magnetvälja energia E= i voolutugevuse hetkväärtus 2 Võnkering on elektrodünaamika idealiseeritud objekt, elektrimahtuvust ja induktiivsust sisaldav kinnine kontuur. Võnkering realiseeritakse omavahel ühendatud kondensaatori ja pooliga. Võnkeringis toimub elektri- ja magnetvälja energia vastastikune muundumine, kuid elektromagnetvälja energia on jääv. Reaalne võnkering on sumbuv. Cu 2 Li 2 u vahelduvpinge hetkväärtus,
Laetud Cu 2 C kondensaatori mahtuvus (1F), kondensaatori E= u vahelduvpinge hetkväärtus elektrivälja energia 2 Vooluga pooli Li 2 L pooli induktiivsus, magnetvälja energia E= i voolutugevuse hetkväärtus 2 Võnkering on elektrodünaamika idealiseeritud objekt, elektrimahtuvust ja induktiivsust sisaldav kinnine kontuur. Võnkering realiseeritakse omavahel ühendatud kondensaatori ja pooliga. Võnkeringis toimub elektri- ja magnetvälja energia vastastikune muundumine, kuid elektromagnetvälja energia on jääv. Reaalne võnkering on sumbuv. Cu 2 Li 2 u vahelduvpinge hetkväärtus,
Muutmälud jagunevad: Staatiline mälu (SRAM -Static Random Access Memory). See on väga kiire muutmälu, mis realiseeritud trigerite bassil ja mille tootmine on kallis. Seda mälu kasutatakse vahemäluna (Cache memory) või protsessorite registrite mäluna. Joonis 1-7. Mälumoodul Dünaamiline mälu (DRAM - Dynamic Random Access Memory). Selle mälutehnoloogia puhul kasutatakse info salvestamiseks väljatransistori paisusiirde elektrimahtuvust. Ühe biti info salvestamiseks piisab ühest transistorist aga laengu säilitamiseks vajab mälu regulaarset värskendamist, mis muudab seda tüüpi mälu oluliselt aeglasemaks. See muutmälu tüüp on kasutusel tänapäevastes personaalarvutites põhimäluna operatsioonisüsteemi ja rakenduste jooksvaks töötamiseks vajaliku programmikoodi ja andmete salvestamiseks. DRAM mälu on korraldatud mälubittide maatriksina. Andmevahetustsükli alustamiseks aktiveerib
annaabi.ee 
