laengute puudus) ning ülemisel q (negatiivsete laengute üleküllus). Kui jätkata sama protseduuri, siis järgmise laengu q ülekandmisel laadime kondensaatori plaadid juba laengni +2q ja -2q jne. Mahtuvus: Elektrimahtuvus on füüsikaline suurus, mis iseloomustab elektrit juhtiva keha või kondensaatori võimet salvestada elektrilaengut. Sõltub vaadeldavate kehade mõõtmetest, vahekaugusest, ja kehadevahelise aine dielektrilisest läbitavusest. Mahtuvust mõõdetakse elektrilaenguna, mis tõstab keha potentsiaali või kondensaatori elektroodide potentsiaalide vahet (pinget) ühiku võrra, kus C on mahtuvus, q on elektrilaeng ja U on pinge. Plaatkondensaatori mahtuvus Elektrimahtuvus sõltub üksnes geomeetrilistest parameetritest plaatide pindalast S ja plaatidevahelisest kaugusest d. Seejuures kooskõlastab võrdetegur E0 (elektriline konstant) SI-süsteemile vastavad ühikud. Mida suurem on plaatide pindala ja mida väiksem on plaatidevaheline kaugus, seda suurem
100-tuhandeni. Sellises aines kahaneb välja tugevus peaaegu nullini 12. Elektrijuhid elektriväljas a. Elektriväli juhi sees ja selle pinnal b. Elektrimahtuvus c. Kondensaator d. Laengutesüsteemi ja elektrivälja energia A) Elektriväli juhi sees ja selle pinnal B) Elektrimahtuvus Elektrimahtuvus iseloomustab elektrit juhtiva keha või kondensaatori võimet salvestada elektrilaengut. Mahtuvust mõõdetakse elektrilaenguna, mis tõstab keha potentsiaali või kondensaatori elektroodide potentsiaalide vahet (pinget) ühiku võrra: C) Kondensaator Kaht dielektrikuga eraldatud metallplaati või mistahes kujuga elektrijuhti – elektroodi – nimetatakse kondensaatoriks. Kondensaatori mahtuvus on oluliselt suurem üksiku elektroodi mahtuvusest. D) Laengutesüsteemi elektrivälja energia 13. Alalisvool a. Elektrivoolu tekkimise tingimused ja karakteristikud b. Metallide
Chip, millel aadressisisend, data väljund ning ChipSelect, OutputEnabled ning Read/Write väljundid. Kuna staatilises mälus säilib salvestatud informatsioon ka pärast mälust lugemist, püsides seal toitepinge olemasolu korral kui tahes kaua, siis nimetatakse niisugust mälu staatiliseks. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. dünaamilised Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFETtransistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida).Koosneb mälumaatriksist, milles küljes rea aadressi ning veeru aadressi puhvrid. RowAddressSelect ning ColumnAddressSelect sisendid, R/W sisend. Andmed tuleb mingi aja jooksul refreshida, vastasel juhul imbub laeng transistoritest välja ja andmed hävivad
Võime temperatuuri mõõta energia ühikutes. Molekulide keskmine kineetiline energia on võrdeline absoluutse temperatuuriga. 5. Dünaamika põhiseadus e Newtoni II seadus väidab, et kehale mõjuv jõud võrdub keha massi ja selle jõu poolt kehale antud kiirenduse korrutisega F=ma. 6. Elektrimahtuvus on füüsikaline suurus, mis iseloomustab elektrit juhtiva keha või kondensaatori võimet salvestada elektrilaengut. Mahtuvust mõõdetakse elektrilaenguna, mis tõstab keha potentsiaali või kondensaatori elektroodide potentsiaalide vahet (pinget) ühiku võrra: C = q/U.(C on mahtuvus, q on elektrilaeng ja U on pinge). Kondensaatori mahtuvus oleneb kondensaatori plaatide pindalast ja plaatide vahelisest kaugusest, samuti ka dielektrikust, mis asetseb kahe plaadi vahel. 7. Magnetväli on pöörisväli, st tema jõujooned on kinnised, ilma alguse ja lõputa. Magneetumise vektorväli M näitab kui tugevalt piirkonna materjal on magnetiseeritud
R/W = 0, määrab ära kirjutusrežiimi; CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga
R/W = 0, määrab ära kirjutusreziimi; CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel.
R/W = 0, määrab ära kirjutusreziimi; CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga REG ja koos sellega toimub
R/W = 0, määrab ära kirjutusreziimi; CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat.
Ehk 1 transistor=1 bit, SRAMi puhul 4transistori=1 bit, 4x effektiivsem on DRAM sellest aspektist. Bit on salvestatud kui elektrilaeng. Chip hõlmas endas kõige vajalikku, et mingile mälupesale ligipääseda, kirjutada sinna 1 v 0, lugeda mälupesa sisu lugemistsükli ajal. DRAMi puhul on tarvis kahte kontrollsignaali, et aadressi kätte saada: rea aadress (row address strobe – RAS) ja veeru aadress (column address strobe – CAS). DRAMi nõrgad küljed: 1. Info on salvestatud elektrilaenguna, millel on omadus aja möödudes kaduda/leakida. Maksimum garanteeritud aeg, mil info salvestud DRAMi on 16ms, sellepärast refreshitakse DRAMe vähemalt iga 16ms tagant, et info kindlalt säiliks. Refreshida ei ole võimalik lugemis/kirjutamis-tsükli ajal. 2. kondensaatorite laadimine võib põhjustada pingekõikumisi vooluringis 3. vastuvõtlik alpha osakestele. Error-correcting code parandab seda, 5 check biti lisatakse 16 bitisele sõnale,
& R/W väljundi CS juhtimine 0 15 Veerudekooder A6 A7 A8 A9 Joonis 1.25. Staatiline muutmälu: a) struktuuriskeem, b) kiibi tähis 52 Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel 1.26.
annaabi.ee 
