UCB0 - kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge. UEB0 - emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge (tavaliselt 3...5 V). Icmax - suurim lubatav kollektorivool. ICM - suurim lubatav kollektorimpulssvool. 8. Milleks on vajalik bipolaartransistori tööpunkti stabiliseerimine? Joonistage tööpunkti stabiliseerimise emitterkompensatsiooni skeem Transistori fikseeritud tööpunkt vajab ka stabiliseerimist ja seda eelkõige bipolaartransistoride kasutamisel, sest temperatuuri muutumisel muutub transistori tunnusjoonte asend IC 40ºC IB4 20ºC A1 40ºC 20ºC IB3 A
..37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4.1 Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel 3.4.2 Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK 3.4.3 Bipolaartransistoride põhiparameetrid ja liigitus 3.4.4 Isoleeritud paisuga bipolaartransistor 3.4.5 Liittransistor 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid 3.5.1 pn-väljatransistor 3.5.2 MOP-transistorid 3.5.3 Väljatransistoriga võimendusastmed 3.6 Türistorid 3.6.1 Lihttüristor (üheoperatsiooniline türistor) 3.6.2 Dioodtüristor 3.6.3 Sümistor e
6.2.1 ÜE-lülituses transistor 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija 6.2.3 ÜB-lülituses transistor 6.2.4 Transistori tööpunkt ja koormussirge 6.3 Võimendusastmete vaheline sidestus 6.3.1 RC-sidestus e. takistus-mahtuvuslik sidestus 6.3.2 Trafosidestus 6.3.3 Otsesidestus 6.4 Võimendusastmed väljatransistoride baasil 6.4.1 Ühise lättega lülitus 6.4.2 Ühise neeluga lülitus 6.4.3 Välja- ja bipolaartransistoride ühislülitused 6.5 Tagasiside võimendites 6.5.1 Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele 6.5.2 Vastuside mõju võimendi parameetritele 6.5.3 Tagasisidelülituste praktilisi näiteid 6.5.4 Parasiitne tagasiside 6.6 Transistori töö lülitireziimis 6.6.1 Impulsside liigid ja parameetrid 6.6.2 Bipolaartransistori töö lülitireziimis 6.6.3 Väljatransistori töö lülitireziimis 6.7 Stabiilse voolu generaatorid 6.7
ainel samaaegselt vedeliku omadused, nagu voolavus, ja kristalli omadused: molekulide korrastatud paigutus ja anisotroopia. Elektriväljaga on võimalik muuta vedelkristalli molekulide orientatsiooni. Külma käes aeglane reaktsioon. RGB süsteem-värviline. Kui valgustada LEDidega, siis on igavene, sest enne ütleb üles luminofoorvalgustus. 3. U->I muundur Sisendsignaali pinge muutus muundatakse väljundsignaali voolu muutuseks. 4. TTL loogika Transistor-transistor loogika. Koostatud bipolaartransistoride baasil ja ei karda selle tõttu staatilist elektrit. Standartne TTL 2NING-EI element (10mW, 10ns). Mitme emitteriline transistor asendab dioodid DTL skeemis. Töötab nagu voolu I b lüliti. Kui kasvõi üks sisenditest on maandatud, siis vool Ib voolab transistorist mööda. Kui kõik sisendid on maandamata, siis vool Ib läheb transistorisse. Võimendi transistorid võivad küllastuda, ja selle tõttu hakata aeglaselt ümber lülituma. Standartne TTL on
4.Loogika baaselemendid NING, VÕI, EI. Lihtsaim seadis, mis sooritab sisendsignaalidega mingit loogikatehet. Neil on ainult kaks olekut 0 ja 1. Tähtsamad on invertor (EI), konjunktor (NING), disjunktor (VÕI), Pierce'i element (EI-EGA) ja Shefferi element (NING-EI). 5.Baaselemendid NING-EI, VÕI-EI. 6.HiZ otstarve, kasutusnäide, HiZ realiseerimise põhimõte. HiZ on sisuliselt kõrge takistus (miski kolmas olek). 7.Bipolaartransistor kui lüliti. Bipolaartransistoride germaaniumist või ränist pooljuhtstruktuur koosneb kolmest p- ja n-juhtivustüübiga kihist (pnp- või npn-struktuur) ning kahest nendevahelisest pn-siirdest. Ühe pn-siirde (näit emittersiirde) voolu muutumine põhjustab teise siirde (kollektorsiirde) takistuse muutumise. Bipolaartransistori tööks on vajalik erimärgiliste laengukandjate (neg elektronide ja pos aukude) olemasolu pooljuhis. 8.MOP-transistor. Metall-Oksiid-Pooljuht transistor. n ja p-kanaliga. 9.Pooljuhtdiood
tööpunkt vajab ka 20C IB2 stabiliseerimist ja seda eelkõige 40C 20C IB1 Joon.1.22 UCE bipolaartransistoride kasutamisel, sest temperatuuri muutumisel muutub transistori tunnusjoonte asend (joon.1.22). Tunnusjoonte nihkumisel temperatuuri muutumisel liigub tööpunkt temperatuuri +E tõustes ülespoole punktist A punkti A1 ja temperatuuri langedes allapoole. Selline tööpunkti nihkumine põhjustab võimendusteguri muutumise ja suuremate sisendsignaalide korral võib juhtuda R1 ka, Ret
E 1 2 Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R kondensaator (joon.4.17). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse 2 transistori sisendtunnusjoonelt. 4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine Transistori fikseeritud tööpunkt vajab ka stabiliseerimist ja seda eelkõige bipolaartransistoride 40ºC 20ºC 40ºC 20ºC 40ºC 20ºC 40ºC 20ºC I C U CE A 1 A I B1 I B2 I B3 I B4 JOONIS 4.18. kasutamisel, sest temperatuuri muutumisel muutub transistori tunnusjoonte asend (joon.4.18). A UF 57 IF RC +E VT VD2 E R1 VD1 A1 RC +E VT R2 E R1 NTC a b c 40º 20º UF20ºº UF40ºº JOONIS 4.19. 58 Tunnusjoonte nihkumisel temperatuuri muutumisel liigub tööpunkt temperatuuri tõustes
RE maaga ja anname baasile pingejaguri R1-R2 abil positiivse pinge. Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R2 kondensaator (joon.4.17). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse transistori sisendtunnusjoonelt. 4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine Transistori fikseeritud tööpunkt vajab ka stabiliseerimist ja seda eelkõige bipolaartransistoride 40 IC 40C 20C IB4 40C
jõutransistoridena. Selleks otstarbeks kasutatakse paraleelselt ühendatud transistori struktuure, millede voolud liituvad. Taolised paralleelühendused on võimalikud tänu väljatransistori erilisele temperatuuriomadusele. See seisneb selles, et temperatuuri tõustes tõkkekihi tsoon laieneb ja vool väheneb. Kui mingil põhjusel ühes transistori struktuuris tekib kuumenemine, siis nimetatud efekti tulemusena väheneb automaatselt vool ja ka kuumenemine. Bipolaartransistoride taolisel paraleellülitusel aga tekib kuumenemisest juhtivuse suurenemine, vool selles elemendis suureneb veelgi ja lõpuks see struktuur hävib. Selle omaduse tõttu jagab väljatransistoride paraleelühendus automaatselt voolusid struktuuride vahel ilma riknemise ohuta. Suurevõimsuselisi transistore kasutatakse sageli lülititena. Sellisel kasutusalal on vaja võimalikult väikest kanali takistust. Selle saavutamiseks on välja töötatud mitmeid võimsate MOSFET transistoride eriliike. 7.3
dünaamikaga ja kiiretoimelistesse rakendustesse. Vältimaks liigpingeid ja liigvoole, osutuvad pooljuhtseadiste rööp-ja jadaühenduse korral vajalikeks täiendavad jagurahelad. Teisteks suure tähtsusega parameetriteks on seadiste vastuvool ja siirdetalitluste kestused. 2.4. Transistorid Transistori tüübi valik. Mõnikord on madalsageduslikes seadmetes mõistlikuks valikuks bipolaartransistorid. Bipolaartransistoride põhiparameetrid on kollektori maksimaalne impulssvool, kollektori ja emiteeri vaheline maksimaalne impulsspinge ja avanemis-ning sulgumisajad. Suurte voolude korral kasutatakse transistoride rööplülitust koos täiendava vooluühtlustustakistiga R, nagu on näidatud joonisel 2.4, a. Vooluühtlustustakistite arvutamiseks kasutatakse tehniliste andmete lehelt võetud maksimaalset (Usat max)- ja minimaalset (Usat min) küllastuspinget
annaabi.ee 
