väljundvoolude vahe oluliselt suurem. Tundmatutel mõjudel ei olnud võimalik rohkem mõõtmisi teha ning saime ÜB-ühenduse korral mõõta väljundvoolu ainult väljundpinge väärtuse 1V juures. Emitter on transistori üks välimistest kihtidest ning see toimib voolu tekitajana transistoris. See on osa, milles tekitatakse ja vastavalt ka emiteeritakse enamuslaengukandjaid. Transistorit läbiva voolu tugevust aga tüürib keskmine kiht transistoris, mida nimetatakse baasiks. Voolu baasiahelas moodustavad põhiliselt transistori emitterist tulnud augud (n-p- n transistori puhul aga emitterist tulnud elektronid) – see tähendab, et ühendusviis omab väga palju tähtsust. Leidsime ka transistori tunnusjoonte parameetrid ning saadud tulemused ühtisid passiandmetega. Tabel 7.1 Transistori ÜB-ühendus UC = 1 V UC = 3 V UC = 7 V UC = 10 V UC = 12 V
võimendi alumine sageduspiir kasutatud sidestuskondensaatorite mahtuvusest (võimendi ülemine sageduspiir sõltub praktilselt kasutatavate transistoride sagedusomadustest. Vaadeldava RC ahela takistuseks on järgneva astme sisendtakistus, milleks esimese astme RB1 ja RsisVT paraleellülitus, teises astmes R1,R2 ja RsisVT paraleelselt transistori kolektror takistus on skeemis selleks, et muundada kolektrorvoolu muutusi pingemuutusteks RC1 CE1 ja RE2 CE2 on tööpunkti stabiliseerimiseks. Baasiahelas olevad takistused RB1 ja R1 ning R2 on tööpunkti fikseerimiseks. Teatavasti peab võimendina toimiv transistor töötama transistori lineaar reziimis ja selleks on vaja tekitada selles reziimis sobiva väärtusega alalisreziim seda reziimi nimetataksegi tööpunktiks. Joonis 3. Vaadeldavas lülituses kasutatakse esimeses tööpunkti fikseerimist baasivooluga, kuna seal on sisendvool väike ja tööpunkti stabiilsus ei ole kriitiline
annaabi.ee 
