Sellega tekib paisu alla n-juhtivusega pooljuht ehk n-kanal. Kirjeldatud protsess hakkab toimuma, alates kindlast lävipingest UGS(th). Mida suurem positiivne pinge paisule rakendub, seda väiksemaks muutub transistori neelu ja lätte vaheline takistus. Pinget võib tõsta ainult teatud väärtuseni, et ei tekiks läbilööki paisu ja n-kanali vahel. MOP-transistoridel võib olla väljaviik B (ingl bulk) ehk kontakt aluskristalliga. Tavaliselt ühendatakse see toitepinge negatiivse pooluse külge. Juhul kui väljaviik B on korpustatud elemendist välja toodud, võib neelu ja lätet lugeda võrdseks (identseks). Tavaliselt ühendatakse aga kontakt B juba transistori korpuses lätte S külge, mistõttu tuleb lättel ja neelul vahet teha. a) Ülekandetunnusjoon; b) Väljundtunnusjooned 49. Türistor, sümistor, dioodtüristor, dioodsümistor. Nende tööpõhimõte.
24. Formeeritava (a) ja indutseeritava kanaliga (b) MOP-struktuurid [Pikkov]. Indutseeritava kanaliga transistori paisu juures on siin kujutatud eelpingestusele viitav sümbol '+' , kuivõrd erinevalt formeeritava kanaliga transistorist ("isejuhtiv") on see transistoritüüp "isesulguv" ja tööks tuleb ta välise pingega avada. Enamasti kasutatakse n-kanaliga MOP-transistore. MOP-transistoridel võib olla väljaviik B (ingl. k. bulk) ehk kontakt aluskristalliga. Tavaliselt ühendatakse see toitepinge negatiivse pooluse külge. Juhul kui väljaviik B on korpustatud elemendist välja toodud, võib neelu ja lätet lugeda võrdseks (identseks). Tavaliselt ühendatakse aga kontakt B juba transistori korpuses lätte S külge, mistõttu tuleb lättel ja neelul vahet teha. Joonis 3.25. Indutseeritava n-kanaliga MOP-väljatransistori ülekandetunnusjoon (a) ja väljundtunnusjooned (b) [3]. Elektroonika alused
Seega on väljatransistore kuut erinevat liiki. 7.3.1. Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid Depletion-Type MOSFET Vaatleme n-kanaliga transistori kui enamlevinut, p-juhtivusega põhimaterjali on formeeritud lisandite abil lätte ja neelu vahel n-juhtivusega kanal, mille peal on õhuke SiO2 isolatsioon ja sellel omakorda metallist paisuelektrood. Lätte- ja neelualused tsoonid on parema juhtivuse saamiseks tavaliselt kõrgendatud, s.o. n+ juhtivusega. Aluskristalliga ühendatud metallelektrood on ühendatud kas lättega või toodud välja eraldi elektroodina. Sellise transistori skemaatiline ehitus koos n- ja p-kanaliga transistoride tingmärkidega on toodud joonisel 7.5. JOONIS 7.5. Kui transistori paisule antav pinge on null, tekib läbi kanali mingi vool. Paisule antava pinge mõjul tekib paisuelektroodi all selle pingest põhjustatud elektriväljatsoon,
Seega on väljatransistore kuus erinevat liiki. 5.3.1. Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid (Depletion-Type MOSFET) Vaatleme N-kanaliga transistori kui enamlevinut. P-juhtivusega põhimaterjali .on formeeritud lisandite abil lätte ja neelu vahele N-juhtivusega kanal, mille peal on õhuke Si0 isolatsioon ja sellel omakorda metallist paisuelektrood. Lätte- ja neelualused tsoonid 2 on parema juhtivuse saamiseks tavaliselt kõrgendatud, s.o. n+ juhtivusega. Aluskristalliga ühendatud metallelektrood on ühendatud kas lättega või toodud välja eraldi elektroodina. Sellise transistori skemaatiline ehitus koos N- ja P-kanaliga transistoride tingmärkidega on toodud joonisel 5.4. JOONIS 5.4. Kui transistori paisule antav pinge on null, tekib läbi kanali mingi vool. Paisule antava pinge mõjul tekib paisuelektroodi all selle pingest põhjustatud elektrivälja tsoon, kus elektrivälja suund sõltub paisupinge polaarsusest
kas N- või P-kanaliga. Seega on väljatransistore kuus erinevat liiki. 5.3.1. Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid (Depletion-Type MOSFET) Vaatleme N-kanaliga transistori kui enamlevinut. P-juhtivusega põhimaterjali .on formeeritud lisandite abil lätte ja neelu vahele N-juhtivusega kanal, mille peal on õhuke Si02 isolatsioon ja sellel omakorda metallist paisuelektrood. Lätte- ja neelualused tsoonid on parema juhtivuse saamiseks tavaliselt kõrgendatud, s.o. n+ juhtivusega. Aluskristalliga ühendatud metallelektrood on ühendatud kas lättega või toodud välja eraldi elektroodina. Sellise transistori skemaatiline ehitus koos N- ja P- kanaliga transistoride tingmärkidega on toodud joonisel 5.4. JOONIS 5.4. Kui transistori paisule antav pinge on null, tekib läbi kanali mingi vool. Paisule antava pinge mõjul tekib paisuelektroodi all selle pingest põhjustatud elektrivälja tsoon, kus elektrivälja suund sõltub
annaabi.ee 
