Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse

Küsimused-vastused vene keeles (1)

3 HALB
Punktid
Vene keel - vene keelsed luuletused
Vasakule Paremale
Küsimused-vastused vene keeles #1 Küsimused-vastused vene keeles #2 Küsimused-vastused vene keeles #3 Küsimused-vastused vene keeles #4 Küsimused-vastused vene keeles #5 Küsimused-vastused vene keeles #6 Küsimused-vastused vene keeles #7 Küsimused-vastused vene keeles #8 Küsimused-vastused vene keeles #9 Küsimused-vastused vene keeles #10 Küsimused-vastused vene keeles #11 Küsimused-vastused vene keeles #12 Küsimused-vastused vene keeles #13 Küsimused-vastused vene keeles #14 Küsimused-vastused vene keeles #15 Küsimused-vastused vene keeles #16 Küsimused-vastused vene keeles #17 Küsimused-vastused vene keeles #18 Küsimused-vastused vene keeles #19 Küsimused-vastused vene keeles #20 Küsimused-vastused vene keeles #21 Küsimused-vastused vene keeles #22 Küsimused-vastused vene keeles #23 Küsimused-vastused vene keeles #24 Küsimused-vastused vene keeles #25
Punktid 50 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 50 punkti.
Leheküljed ~ 25 lehte Lehekülgede arv dokumendis
Aeg2013-01-08 Kuupäev, millal dokument üles laeti
Allalaadimisi 28 laadimist Kokku alla laetud
Kommentaarid 1 arvamus Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
Autor Polineisha Õppematerjali autor
2012 eksamiks valmistamine. Vene keeles! Joonistega.

Sarnased õppematerjalid

thumbnail
22
docx

Materialiteaduse üldalused vene keeles

1., , (2.4) ­ ­ . , . , , ­ , , . . , . . ­ . . , . ( ). , . , . . () () . . ­ . ­ . ­ (). 2. . , , . , ( ), . , , . : n=N*C*exp(-E*/kT) N ­ ; * - ; ­ . : 1) ; 2) . . . ­ . , . . ( H, C, O, N) . , , . . 3. . . (J) ­ , : J=m/s*t J=1/S*dm/dt m ­ ; S ­ ; t ­ . J , . dC/dX=C/X=Ca-Cb/Xa-Xb=const . . : J=-D*dC/dX D ­ , . J : dm = J·S·dt J : dm=- D*S*dC/dX*dt D = const; S = const; dC/dX = const, m=- D*S*dC/dX*t S = 1; dC/dX = -1; t = 1, m = D. D ­ , , . 2/. 4. . . (5.1, 5.2) . , , . : (l = l ­ l0) F. 0 l0, , . 0 l l0. ( ) : =F/A0 ; =l/l0 , ­ .

Materjaliõpetus
thumbnail
32
docx

Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013

Eksamiküsimused 2013 KYP0040 Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4), antud joon 2- 19 ja 2-20 Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne) (joon 2-17). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (näiteks mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli tõmbamise skeem sulandist on joonisel 2-19. Nii saadakse näiteks suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri.

Materjaliõpetus
thumbnail
3
doc

Keemia eksami vastused

. ­ , () - (1/12 12) ­ , . , 0 , (Zn, Al, ). E 0 ( Al 3+ / Al ) = -1,66V E 0 ( Zn 2+ / Zn ) = -0,76V ( ) E 0 Fe 2+ / Fe = -0,44V . ­ 1 . = M / 22,4 , / . -- ­ / . . - , , ( ­ ). ­ ( S > 0 ) .( , , ). ( S < 0 ) ( ). - , , , , . , (> 20 .) . - ( , , ). . - - ( ­ ; l ­ s); ( ­; g ­ s). . - , , , . . - . , - . - v1() = v2() . . , . 2SO2 + O2 2SO3 ; VSO2:VO2=2:1; VO2:VSO3=1:2; SO2 = 12; - : . V1 / T1 =V2 / T2 T2 373 V / T = const . V2 = V1 = 2,5 = 3,13 N . : , 2 T1 298 , . -: , , .

Keemia ja materjaliõpetus
thumbnail
7
doc

Keemia materjaliõpetus ja ( vene keeles )

- 1. - , () . . - , (, ) - , ; ­ , . ­ , 0 , ( ) . (Zn, Al, ). E 0 Al 3+ / Al = -1,66V . [ ] pH ­ () E 0 ( Zn 2+ / Zn ) = -0,76V pH = - log H + . ( ) E 0 Fe 2+ / Fe = -0,44V . ­ , . - , ­ 1 . . =M

Keemia ja materjaliõpetus
thumbnail
24
docx

Materjaliteaduse üldalused eksamiküsimused

Eksamiküsimused 2015 KYP0040 Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4) 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. 2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (näiteks mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli on ka oma kindel tõmbamise skeem sulandist. Nii saadakse näiteks suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri. Anisotroopia

Materjaliteaduse üldalused
thumbnail
22
rtf

Materjaliteaduse üldalused 2012 kevad

Eksamiküsimused 2012 KYP0040 Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4) 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. 2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (näiteks mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli on ka oma kindel tõmbamise skeem sulandist. Nii saadakse näiteks suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meet

Materjaliteaduse üldalused
thumbnail
3
doc

Tehnomaterjalid

1.variant. 1.lihtsa kuupvõre... koordinatsiooni arv. Võreelemendi kohta tulevate aatomite arv K6 K=6 ; n=1 2.asendustardlahuse kristallvõre (lahustaja komponendi A kristallivõre K12) milline on kristallivõre baas? A=1/8*8=1 B=6*1/2=3 n=A+B=1+3=4 3.FD kuju komponentide osalise lahutsuvuse korral, faasid selle kõikides alades, nende tähistus ja sisu 4.Loetlege tardfaasid F-S sulameis. Tooge nende tähistus, sisu ja C-sisaldus F (K8) sisentustardlahus alfa-rauas c=0,01%-0,1% (Fe(C))(Ferriit on süsiniku tardlahus alfa+rauas) A (K12) sisendustardlahus gamma-rauas c=0,8-2,14%(Fe(C)) ( Austeniit on samuti raua ja süsinuku tardlahus, süsinik aatomid on asetatud gamma+rauas tahkesendatud kuupvõre aatomitevahelistesse tühikutesse. (sitke ja hästi deformeeritav, mittemagneetiline) M(K8) c ülekõllastunud tardlahus alfa+rauas(Fe(Cülek)) 5.milles seisneb beiniit muutus Fe-S sulameis muutuse skeem, T A->(F+T) B (C=0,8% t=400-500C 6.alaeutektoidterase struktuuriosad, nende te

Tehnomaterjalid
thumbnail
6
doc

Tehnomaterjalide kogu eksam

Variant 1 1.lihtsa kuupvõre... koordinatsiooni arv. Võreelemendi kohta tulevate aatomite arv K6 K=6 ; n=1 2.asendustardlahuse kristallvõre (lahustaja komponendi A kristallivõre K12) milline on kristallivõre baas? A=1/8*8=1;B=6*1/2=3; n=A+B=4 3.FD kuju komponentide osalise lahutsuvuse korral, faasid selle kõikides alades, nende tähistus ja sisu 4.Loetlege tardfaasid Fe-C sulameis. Tooge nende tähistus, sisu ja C-sisaldus F (K8) sisentustardlahus alfa-rauas C=0,01%-0,1% (Fe(C)); A (K12) sisendustardlahus gamma-rauas C=0,8...2,14% (Fe(C)) M (K8) C ülekõllastunud tardlahus alfarauas (Fe(Cülek) 5.milles seisneb beiniit muutus Fe-C sulameis, muutuse skeem, T A => (F+T) B (C=0,8% t=400-500C 6.alaeutektoidterase struktuuriosad, nende tekkimistemperatuur C<0,8% struktuur koosneb F ja P, C-sisaldus 0,2% korral ferriidi ja perriidii koguste suhe 3:1 7.tavalisandid terastes, nende sisaldus Räni<0,4% ; mangan <0,8% ; väävel 0,035...0,06%; fosfor 0,025...0,045% 8.maldmide liigitus läh

Tehnomaterjalid




Meedia

Kommentaarid (1)

katja1992 profiilipilt
katja1992: aitäh
12:10 19-04-2013



Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun