Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse

Elektroonika aluste õppematerjal (5)

5 VÄGA HEA
Punktid

Lõik failist

Vasakule Paremale
Elektroonika aluste õppematerjal #1 Elektroonika aluste õppematerjal #2 Elektroonika aluste õppematerjal #3 Elektroonika aluste õppematerjal #4 Elektroonika aluste õppematerjal #5 Elektroonika aluste õppematerjal #6 Elektroonika aluste õppematerjal #7 Elektroonika aluste õppematerjal #8 Elektroonika aluste õppematerjal #9 Elektroonika aluste õppematerjal #10 Elektroonika aluste õppematerjal #11 Elektroonika aluste õppematerjal #12 Elektroonika aluste õppematerjal #13 Elektroonika aluste õppematerjal #14 Elektroonika aluste õppematerjal #15 Elektroonika aluste õppematerjal #16 Elektroonika aluste õppematerjal #17 Elektroonika aluste õppematerjal #18 Elektroonika aluste õppematerjal #19 Elektroonika aluste õppematerjal #20 Elektroonika aluste õppematerjal #21 Elektroonika aluste õppematerjal #22 Elektroonika aluste õppematerjal #23 Elektroonika aluste õppematerjal #24 Elektroonika aluste õppematerjal #25 Elektroonika aluste õppematerjal #26 Elektroonika aluste õppematerjal #27 Elektroonika aluste õppematerjal #28 Elektroonika aluste õppematerjal #29 Elektroonika aluste õppematerjal #30 Elektroonika aluste õppematerjal #31 Elektroonika aluste õppematerjal #32 Elektroonika aluste õppematerjal #33 Elektroonika aluste õppematerjal #34 Elektroonika aluste õppematerjal #35 Elektroonika aluste õppematerjal #36 Elektroonika aluste õppematerjal #37 Elektroonika aluste õppematerjal #38 Elektroonika aluste õppematerjal #39 Elektroonika aluste õppematerjal #40 Elektroonika aluste õppematerjal #41 Elektroonika aluste õppematerjal #42 Elektroonika aluste õppematerjal #43 Elektroonika aluste õppematerjal #44 Elektroonika aluste õppematerjal #45 Elektroonika aluste õppematerjal #46 Elektroonika aluste õppematerjal #47 Elektroonika aluste õppematerjal #48 Elektroonika aluste õppematerjal #49 Elektroonika aluste õppematerjal #50 Elektroonika aluste õppematerjal #51 Elektroonika aluste õppematerjal #52 Elektroonika aluste õppematerjal #53 Elektroonika aluste õppematerjal #54 Elektroonika aluste õppematerjal #55 Elektroonika aluste õppematerjal #56 Elektroonika aluste õppematerjal #57 Elektroonika aluste õppematerjal #58 Elektroonika aluste õppematerjal #59 Elektroonika aluste õppematerjal #60 Elektroonika aluste õppematerjal #61 Elektroonika aluste õppematerjal #62 Elektroonika aluste õppematerjal #63 Elektroonika aluste õppematerjal #64 Elektroonika aluste õppematerjal #65 Elektroonika aluste õppematerjal #66 Elektroonika aluste õppematerjal #67 Elektroonika aluste õppematerjal #68 Elektroonika aluste õppematerjal #69 Elektroonika aluste õppematerjal #70 Elektroonika aluste õppematerjal #71 Elektroonika aluste õppematerjal #72 Elektroonika aluste õppematerjal #73 Elektroonika aluste õppematerjal #74 Elektroonika aluste õppematerjal #75 Elektroonika aluste õppematerjal #76 Elektroonika aluste õppematerjal #77 Elektroonika aluste õppematerjal #78 Elektroonika aluste õppematerjal #79 Elektroonika aluste õppematerjal #80 Elektroonika aluste õppematerjal #81
Punktid 50 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 50 punkti.
Leheküljed ~ 81 lehte Lehekülgede arv dokumendis
Aeg2012-10-16 Kuupäev, millal dokument üles laeti
Allalaadimisi 377 laadimist Kokku alla laetud
Kommentaarid 5 arvamust Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
Autor renarehrstein14 Õppematerjali autor
1. POOLJUHTIDE OMADUSI31.1.�ldist31.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides31.3.P-N-siire ja tema alaldav toime (The P-N Junction)61.4. P-N siirde omaduste s�ltuvus temperatuurist (Temperature Effects)81.5. P-N-siirde omaduste s�ltuvus sagedusest91.6. P-N-siirde l�bil��k (Breakdown)92. POOLJUHTDIOODID (Diodes)112.1. Pooljuhtdioodide liigid112.2. Alaldusdioodid (Rectifier Diode)112.3. L�litidioodid (Switching Diode)122.4. Stabilitronid ja stabistorid (Zener Diode)122.5. Mahtuvusdioodid (Capacitance Diode)132.6. Fotodiood132.7. Valgusdiood (Light Emitting Diode)142.8. Valgusdioodindikaatorid (LED-display)152.9. Dioodide t�histamine163. TOITESEADMED183.1. Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid183.3. Silufiltrid233.4. Stabilisaatorid254. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT)304.1.Transistori ehitus.304.2 V�imendi sisend ja v�ljundtakistus304.3. Transistori t��p�him�te314.4. Transistori kolm l�litust.324.5. Transistori parameetrid364.6 Transistoride omaduste s�ltuvus sagedusest374.7 Transistoride omaduste s�ltuvus temperatuurist374.8. Transistori kolm re�iimi384.9. Transistor l�liti re�iimis394.10. Transistori t��punkti fikseerimine414.11. Transistori t��punkti stabiliseerimine434.12.Liittransistor ehk Darlingtoni transistor454.13. Transistoride liigid455. V�LJATRANSISTORID475.1.V�ljatransistori m�iste ja p�hiliigid475.2.P-N-siirdega v�ljatransistorid (Junction FET (JFET))475.3. Isoleeritud paisuga v�ljatransistorid (MOSFET).495.4. Suurev�imsuselised v�ljatransistorid (Power MOSFET).515.5 V�ljatransistor l�liti re�iimis525.6.T��punkti fikseerimine v�ljatransistoridel525.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor).545.8. V�ljatransistoride eriliike546. NELJAKIHILISED SEADISED EHK T�RISTORT��PI ELEMENDID56(Thyristors, Four- Layer)566.1. �ldist neljakihiliste seadiste kohta566.2. Dioodt�ristor ehk dinistor566.3. S�mmeetriline dioodt�ristor ehk DIAC576.4. Trioodt�ristor ehk SCR t�ristor586.5. Trioods�mmistor ehk TRIAC596.6. T��rvoohiga v�ljal�litatav t�ristor ehk GTO t�ristor596.7. Kasutusn�iteid606.8. T�ristoride t�histamine617. V�IMENDID637.1. V�imendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid637.2. V�imendamisel tekkivad moonutused667.3 Mitmeastmelised v�imendid677.4. L�ppv�imendid707.5. Tagasiside v�imendites.748. VEDELKRISTALLINDIKAATORID819.MIKROELEKTROONIKA ALUSED839.1. �ldist mikroelektroonikast839.2.Ehitus, kasutuse erip�ra ja liigid839.3. Operatsioonv�imendid84

Sarnased õppematerjalid

thumbnail
114
doc

Elektroonika alused

ELEKTROONIKA ALUSED Elektroonikaseadmete koostaja erialale 2007 SISUKORD ........................................................................................................................................... 24 I...................................................................................................................................... 25 U2.................................................................................................................................. 25 ........................................................................................................................................... 25 VD2................................................................................................................................ 25 ...............................................

Elektriahelad ja elektroonika alused
thumbnail
32
doc

Rakenduselektroonika

Rakenduselektroonika 1. Võimendid 1.1. Võimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid Võimendiks nimetatakse seadet mille abil toimub signaali amplituudi suurendamine võimalikult väikeste signaali kuju moonutustega. E ­ + Usis Võimendi Uvälj Joon.1.1 Võimendil on alati kaks sisend-, kaks väljundklemmi ja temaga peab olema ühendatud alati energiaallikaks olev alalispinge allikas (joon.1.1). Sisendklemmidega ühendatakse signaaliallikas mille signaal vajab võimendamist. Väljundklemmidega aga ühendatakse see tarbija, millele antakse võimendatud signaal, milleks võib olla kas valjuhääldi, mingi relee mähis, mingi täiturmehhanismi juhtmähis jne. Nimetatud objektid on elektriliselt vaadeldavad takistustena ja seepärast me räägime üldistatult võimendi koormustakistusest. Võim

Elektriahelad ja elektroonika alused
thumbnail
59
pdf

Analoogelektroonika lülitused

5.2 Vastuside mõju võimendi parameetritele 6.5.3 Tagasisidelülituste praktilisi näiteid 6.5.4 Parasiitne tagasiside 6.6 Transistori töö lülitireziimis 6.6.1 Impulsside liigid ja parameetrid 6.6.2 Bipolaartransistori töö lülitireziimis 6.6.3 Väljatransistori töö lülitireziimis 6.7 Stabiilse voolu generaatorid 6.7.1 Bipolaartransistoridega püsivooluallikad 6.7.2 Väljatransistoridega püsivooluallikad 6.7.3 Voolupeegel Elektroonika alused. Teema 3 ­ Pooljuhtseadised 1 Märkus: bipolaartransistori kollektorit võidakse allpool tähistada nii tähega K kui tähega C. Mõlemad tähistused on võrdväärsed. 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid Pikkov lk 60 Joonisel vasakult paremale: alalisvooluvõimendid, helisagedusvõimendid, kõrgsagedus-võimendid, lairibavõimendid, kitsasribavõimendid. Iga

Elektroonika alused
thumbnail
108
pdf

Elektroonika alused (õpik,konspekt)

kataloogist. Suuremagabariidilistel kondensaatoritel kantakse põhiparameetrid kondensaatorile. Näiteks 100UF/100V. Kui ühiku märk puudub, on mahtuvuse ühikuks mikrofarad ja pinge ühikuks volt. Näiteks 2,2/100=2,2uF/100V. Väikesegabariidilistel kondensaatoritel ühiku puudumine annab mahtuvuse pikofaradites. Kasutatakse ka lühendatud tähistust, näiteks u22=0,22uF või 2n2=2,2nF. ELEKTROONIKA KOMPONENDID lk. 11 Kasutatakse samuti ka kolmenumbrilist tähistust, kus kaks esimest numbrit on mahtuvus pikofaradites, kolmas number kordaja aste ja lisatav täht määrab tolerantsi allpooltoodud süsteemi kohaselt: F G J K M Q T Y S X ± ± ± ± ± +30 +50 +100 +50 +80 1,0 2,0 5 10 20 -10 -10 -10 -20 -20 Näiteks 473K=47*1000=47000 pF ±10%

Elektroonika
thumbnail
17
docx

Elektroonika alused Konspekt

Elektrolüüt kondensaator a) Märjad ehk klassikalised elektrolüüt kondesaatorid b) Kuivad ehk tandaal elektrolüüt kondensaator 1. Kuivad elektrolüüt kondensaatorid Ta2O C=25 Induktiiv poolid Mahtuvuslik reaktiivtakistus Alalisvool ei lähe läbi. Takistus lõpmatu. Induktivsus ­ [H] Henri Pooljuht seadised (semi-conducktor) Pooljuht kui materjal, üks liik materjali millel on mingid omadused Nendest materjalist valmistatud elektroonika seadised ehk pooljuht seadised. Pooljuhtide omapära on selles, et need on poolikud juhid. Pool juhtide eritakistus jääb dielektrikute ja täisjuhtide eritakistuse vahelee. Germaanium (temperatuuri kartlik , pinge kartlik ja suht kallis) ja räni(paremate näitajatega) on pooljuhtide ,,emad". Räni ­ maakoores on 27% räni, sulamise temp. 1415kraadi. Kõik ained mille väliskihis on 4 elektroni on pooljuhid.

Elektroonika alused
thumbnail
46
pdf

Teema 3, Pooljuhtseadmed

3.4.5 Liittransistor 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid 3.5.1 pn-väljatransistor 3.5.2 MOP-transistorid 3.5.3 Väljatransistoriga võimendusastmed 3.6 Türistorid 3.6.1 Lihttüristor (üheoperatsiooniline türistor) 3.6.2 Dioodtüristor 3.6.3 Sümistor e. sümmeetriline türistor 3.6.4 Suletav türistor 3.6.5 Türistoride kasutamine jõuelektroonikas Elektroonika alused. Teema 3 ­ Pooljuhtseadised 1 3.1. Pooljuhtmaterjalid Pooljuhtseadised on elektroonikas kasutatavad seadised, mille töö põhineb pooljuhtide omaduste ärakasutamisel. Pooljuhtseadiste hulka kuuluvad näiteks pooljuhtdioodid, türistorid, transistorid, integraalskeemid jm elektroonikakomponendid. Pooljuhid on ained, mille erijuhtivus on väiksem kui elektrijuhtidel (metallidel) ja suurem kui dielektrikutel. Joonis 3.1

Elektroonika alused
thumbnail
50
doc

Rakenduselekroonika

Rakenduselektroonika 1.1 Võimendid Võimenditeks nim seadmeid, mille abil toimub signaali amplituudi suurendamine, nii, et võimalikult säiluks signaali kuju. Joonis 1.1.1 Igal võimendil on alati 2 sisend klemmi millega ühendatakse signaali allikas ja 2 väljund klemmi millega ühendatakse see objekt millele antakse võimendatud signaal. Peale selle vajab võimendi ka toiteallikat, mille energia arvel toimub võimendus protsess. Võime vaadelda ka nii, et võimendi on regulator mis juhib toiteallika energiat tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Sõltuvalt sellest milliseid võimendus elemente kasutatakse on olemas erinevaid võimendeid. Elektriliste signaalide võimendamiseks kasutatakse: transistor võimendeid, elektronlamp võimendeid, magnet võimendeid ja eletrimasin võimendeid. Väga levinud on võimendite liigitus kasutus otstarbel ja sagedus omaduste järgi sest kasutusvaldkond sõltub suuresti või

Rakenduselektroonika
thumbnail
33
docx

Elektriajamid

Vastavalt Tf1, mis on esikülje ehk frondimoonutus ja Tf2 mis on tagakülje ehk langumoonutus. Kui on probleeme küljekestuste määramisega tingituna impulsi kujust määratakse need kestused tasemete 0,1 ja 0,9 vahel. Teiseks moonutuse liigiks on impulsi horisondi langus. Selle toimel tekib impulsi horisontaalsel osal langus. See on seotud mitte piisava sagedusriba alumise piirsagedusega ja teda nim. ka madalsagedus moonutuseks. Elektroonika seisukohalt on impulssignaalide asukohalt 2 probleemi. Esiteks kasutatakse enamasti transistoride lüliti reziimi kus impulsi kestel on transistor küllastuses. Impulsi lõppedes aga tekib hilistumine, sest transistori küllastusel koguneb baasi suurel hulgal lanegu kandjaid ja kui emittersiire suletakse jätkub nende liikumine kollektorisse ning transistori sulgumisel tekib kollektropinges võrreldes sisendpingega hilinemine. Selle hilinemise kestus on

Rakenduselektroonika




Meedia

Kommentaarid (5)

Villu147 profiilipilt
Villu Männik: hea materjal. Soovitan.
15:55 30-05-2017
kristjan771 profiilipilt
kristjan771: väga hea materjal
12:27 27-02-2013
kondaja897 profiilipilt
kondaja897: aitas küll
00:59 09-06-2012



Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun