Elektroonika aluste õppematerjal (5)

5 VÄGA HEA
 
Säutsu twitteris
ELEKTROONIKA ALUSED
Elektroonikaseadmete koostaja erialale

2007
SISUKORD
1. POOLJUHTIDE OMADUSI............................................................................................................................................3
1.1.Üldist..........................................................................................................................................................................3
1.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides......................................................................................................................................3
1.3.P-N-siire ja tema alaldav toime (The P-N Junction) .................................................................................................6
1.4. P-N siirde omaduste sõltuvus temperatuurist (Temperature Effects) ......................................................................8
1.5. P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest................................................................................................................. 9
1.6. P-N-siirde läbilöök (Breakdown)..............................................................................................................................9
2. POOLJUHTDIOODID (Diodes)....................................................................................................................................11
2.1. Pooljuhtdioodide liigid ............................................................................................................................................11
2.2. Alaldusdioodid (Rectifier Diode)............................................................................................................................11
2.3. Lülitidioodid (Switching Diode).............................................................................................................................12
2.4. Stabilitronid ja stabistorid (Zener Diode)...............................................................................................................12
2.7. Valgusdiood (Light Emitting Diode)......................................................................................................................14
2.8. Valgusdioodindikaatorid (LED-display)................................................................................................................ 15
2.9. Dioodide tähistamine ..............................................................................................................................................16
3. TOITESEADMED.........................................................................................................................................................17
3.1. Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid ................................................................................................................17
3.3. Silufiltrid .................................................................................................................................................................22
3.4. Stabilisaatorid ..........................................................................................................................................................24
4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT).......................................................................................................28
4.1.Transistori ehitus.................................................................................................................................................... 28
4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus......................................................................................................................... 28
4.3. Transistori tööpõhimõte..........................................................................................................................................29
4.4. Transistori kolm lülitust. .........................................................................................................................................30
4.5. Transistori parameetrid ...........................................................................................................................................34
4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest ............................................................................................................35
4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ....................................................................................................35
4.8. Transistori kolm reziimi .........................................................................................................................................36
4.9. Transistor lüliti reziimis......................................................................................................................................... 37
4.10. Transistori tööpunkti fikseerimine ........................................................................................................................39
4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine ..................................................................................................................40
4.12.Liittransistor ehk Darlingtoni transistor ................................................................................................................43
4.13. Transistoride liigid ................................................................................................................................................43
5. VÄLJATRANSISTORID...............................................................................................................................................44
5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid ........................................................................................................................ 44
5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) ............................................................................................44
5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). ...................................................................................................46
5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). ......................................................................................48
5.5 Väljatransistor lüliti reziimis ...................................................................................................................................48
5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel ..............................................................................................................49
5.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). ................................................................................................50
5.8. Väljatransistoride eriliike........................................................................................................................................51
6. NELJAKIHILISED SEADISED EHK TÜRISTORTÜÜPI ELEMENDID ..................................................................53
98% sisust ei kuvatud. Kogu dokumendi sisu näed kui laed faili alla
Elektroonika aluste õppematerjal #1 Elektroonika aluste õppematerjal #2 Elektroonika aluste õppematerjal #3 Elektroonika aluste õppematerjal #4 Elektroonika aluste õppematerjal #5 Elektroonika aluste õppematerjal #6 Elektroonika aluste õppematerjal #7 Elektroonika aluste õppematerjal #8 Elektroonika aluste õppematerjal #9 Elektroonika aluste õppematerjal #10 Elektroonika aluste õppematerjal #11 Elektroonika aluste õppematerjal #12 Elektroonika aluste õppematerjal #13 Elektroonika aluste õppematerjal #14 Elektroonika aluste õppematerjal #15 Elektroonika aluste õppematerjal #16 Elektroonika aluste õppematerjal #17 Elektroonika aluste õppematerjal #18 Elektroonika aluste õppematerjal #19 Elektroonika aluste õppematerjal #20 Elektroonika aluste õppematerjal #21 Elektroonika aluste õppematerjal #22 Elektroonika aluste õppematerjal #23 Elektroonika aluste õppematerjal #24 Elektroonika aluste õppematerjal #25 Elektroonika aluste õppematerjal #26 Elektroonika aluste õppematerjal #27 Elektroonika aluste õppematerjal #28 Elektroonika aluste õppematerjal #29 Elektroonika aluste õppematerjal #30 Elektroonika aluste õppematerjal #31 Elektroonika aluste õppematerjal #32 Elektroonika aluste õppematerjal #33 Elektroonika aluste õppematerjal #34 Elektroonika aluste õppematerjal #35 Elektroonika aluste õppematerjal #36 Elektroonika aluste õppematerjal #37 Elektroonika aluste õppematerjal #38 Elektroonika aluste õppematerjal #39 Elektroonika aluste õppematerjal #40 Elektroonika aluste õppematerjal #41 Elektroonika aluste õppematerjal #42 Elektroonika aluste õppematerjal #43 Elektroonika aluste õppematerjal #44 Elektroonika aluste õppematerjal #45 Elektroonika aluste õppematerjal #46 Elektroonika aluste õppematerjal #47 Elektroonika aluste õppematerjal #48 Elektroonika aluste õppematerjal #49 Elektroonika aluste õppematerjal #50 Elektroonika aluste õppematerjal #51 Elektroonika aluste õppematerjal #52 Elektroonika aluste õppematerjal #53 Elektroonika aluste õppematerjal #54 Elektroonika aluste õppematerjal #55 Elektroonika aluste õppematerjal #56 Elektroonika aluste õppematerjal #57 Elektroonika aluste õppematerjal #58 Elektroonika aluste õppematerjal #59 Elektroonika aluste õppematerjal #60 Elektroonika aluste õppematerjal #61 Elektroonika aluste õppematerjal #62 Elektroonika aluste õppematerjal #63 Elektroonika aluste õppematerjal #64 Elektroonika aluste õppematerjal #65 Elektroonika aluste õppematerjal #66 Elektroonika aluste õppematerjal #67 Elektroonika aluste õppematerjal #68 Elektroonika aluste õppematerjal #69 Elektroonika aluste õppematerjal #70 Elektroonika aluste õppematerjal #71 Elektroonika aluste õppematerjal #72 Elektroonika aluste õppematerjal #73 Elektroonika aluste õppematerjal #74 Elektroonika aluste õppematerjal #75 Elektroonika aluste õppematerjal #76 Elektroonika aluste õppematerjal #77 Elektroonika aluste õppematerjal #78 Elektroonika aluste õppematerjal #79 Elektroonika aluste õppematerjal #80 Elektroonika aluste õppematerjal #81
50 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 50 punkti.
~ 81 lehte Lehekülgede arv dokumendis
2012-10-16 Kuupäev, millal dokument üles laeti
320 laadimist Kokku alla laetud
5 arvamust Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
renarehrstein14 Õppematerjali autor

Lisainfo

1. POOLJUHTIDE OMADUSI31.1.ldist31.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides31.3.P-N-siire ja tema alaldav toime (The P-N Junction)61.4. P-N siirde omaduste sltuvus temperatuurist (Temperature Effects)81.5. P-N-siirde omaduste sltuvus sagedusest91.6. P-N-siirde lbilk (Breakdown)92. POOLJUHTDIOODID (Diodes)112.1. Pooljuhtdioodide liigid112.2. Alaldusdioodid (Rectifier Diode)112.3. Llitidioodid (Switching Diode)122.4. Stabilitronid ja stabistorid (Zener Diode)122.5. Mahtuvusdioodid (Capacitance Diode)132.6. Fotodiood132.7. Valgusdiood (Light Emitting Diode)142.8. Valgusdioodindikaatorid (LED-display)152.9. Dioodide thistamine163. TOITESEADMED183.1. Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid183.3. Silufiltrid233.4. Stabilisaatorid254. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT)304.1.Transistori ehitus.304.2 Vimendi sisend ja vljundtakistus304.3. Transistori tphimte314.4. Transistori kolm llitust.324.5. Transistori parameetrid364.6 Transistoride omaduste sltuvus sagedusest374.7 Transistoride omaduste sltuvus temperatuurist374.8. Transistori kolm reiimi384.9. Transistor lliti reiimis394.10. Transistori tpunkti fikseerimine414.11. Transistori tpunkti stabiliseerimine434.12.Liittransistor ehk Darlingtoni transistor454.13. Transistoride liigid455. VLJATRANSISTORID475.1.Vljatransistori miste ja philiigid475.2.P-N-siirdega vljatransistorid (Junction FET (JFET))475.3. Isoleeritud paisuga vljatransistorid (MOSFET).495.4. Suurevimsuselised vljatransistorid (Power MOSFET).515.5 Vljatransistor lliti reiimis525.6.Tpunkti fikseerimine vljatransistoridel525.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor).545.8. Vljatransistoride eriliike546. NELJAKIHILISED SEADISED EHK TRISTORTPI ELEMENDID56(Thyristors, Four- Layer)566.1. ldist neljakihiliste seadiste kohta566.2. Dioodtristor ehk dinistor566.3. Smmeetriline dioodtristor ehk DIAC576.4. Trioodtristor ehk SCR tristor586.5. Trioodsmmistor ehk TRIAC596.6. Trvoohiga vljallitatav tristor ehk GTO tristor596.7. Kasutusniteid606.8. Tristoride thistamine617. VIMENDID637.1. Vimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid637.2. Vimendamisel tekkivad moonutused667.3 Mitmeastmelised vimendid677.4. Lppvimendid707.5. Tagasiside vimendites.748. VEDELKRISTALLINDIKAATORID819.MIKROELEKTROONIKA ALUSED839.1. ldist mikroelektroonikast839.2.Ehitus, kasutuse eripra ja liigid839.3. Operatsioonvimendid84
elektroonika , elektrotehnika , diood , võim , transistor , led türistor

Mõisted

liittransistor, pooljuhtideks, kristallstruktuuris, lisandeid, piirikihis, ränil, koos potentsiaali, pooljuht, toodud põhjustel, vastusuuna režiim, pooljuhtdioodid, põhidioodideks, alaldusdioodid, kaheanoodilises stabilitronis, selliseid seadiseid, seal voolukandjate, elektronid n, fotodioodi tunnusjooned, valgusdioodindikaatorid, juhtskeeme, kolmas element, kolmas element, toiteseadmete ülesandeks, toodust tulenevalt, alalduslülituse ülesandeks, sest sagedusmuundit, muundamisega plokkskeem, teiseks võimaluseks, kolmandaks võimaluseks, lihtsaimaks alalduslülituseks, alaldustegur, ühefaasiline poolperioodalaldi, alaldustegur, sildlülituse puhul, järgmisel poolperioodil, halvim olukord, silufiltrite ülesandeks, passiivfiltrid, lihtsaimaks silufiltriks, kasutamise võimalused, passiivfiltrite põhitüüpideks, induktiivsus, stabilisaatori ülesandeks, kvaliteediparameetrid, rohkem koormatav, selliseks reguleerelemendiks, automaat, stabilitron, tarbija zener, pinged, järjestikstabilisaatoris, hajuv võimsus, impulss, transistoriks, nimetatakse emitter, konstruktsioon, sisendtakistus rsis, väljundtakistus rvälj, transistoridel, erinevuseks, väljundpinge, kirjeldatud tunnusjooned, temperatuuriks, l ft, teiseks põhjuseks, elektronide liikumiskiirused, impulss, füüsikast, sulgerežiimis, lineaar, küllastusrežiimis, elektromotoorjõu polaarsus, tööpunkti fikseerimine, emittersiirde takistus, voolud, toodud kompensatsiooni, liittransistor, konstruksiooni, iseärasuseks, neelu vool, pdsmax, udsmax, ugsmax, idmax, vastupinge, vaatleme n, transistori ülekande, väljatransistorid, seadmetes, mos transistoril, sellel transistoril, neljas element, kuues element, neljakihilised seadised, türistorideks, lülituskaod, jooniselt, dioodtüristori vastusuunarežiim, dioodtüristori, trioodtüristor, trioodsümmistor, kihid, siire p2, triac, saame katood, kasutusalaks, regulaatorid, triac, reguleer, elemendi järel, kolmas element, registreerimis, ky210a, tc122, võimendiks, nimetatud objektid, sellisteks elementideks, eelvõimendite väljund, helisagedusvõimendid, alalispingevõimendid, signaaliks, ribavõimendi, elektrotehnikast, tekkivaid moonutusi, elektrotehnikast, eripäraks, teiseks võimaluseks, kusjuures erinevuseks, vt1, tagasisideks, vaadeldav tagasiside, tööpunkti fikseerimiseks, parasiittagasisidest, tekkiv tagasiside, lahtisidestus, vaadeldavale sagedusele, klaasplaatidele, mikroelektroonika, mikrolülitus, kontaktväljad, taoline ehitus, impulsslülitustele, operatsioonvõimendil, nimetusest tulenevalt

Sisukord

  • ELEKTROONIKA ALUSED
  • Üldist
  • Elektrijuhtivus pooljuhtides
  • Ühised
  • N-juhtivuseks
  • N-type semiconductor
  • P–type semiconduktor
  • Vaba elektron
  • Lisandi aatom
  • doonor)
  • P-N-siire ja tema alaldav toime
  • Forward-Biased
  • Junction
  • Reverse Biased Junction
  • P-N siirde omaduste sõltuvus temperatuurist (
  • Läbilöögi
  • Pinge. U
  • P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest
  • P-N-siirde läbilöök
  • Pooljuhtdioodide liigid
  • Alaldusdioodid (
  • Lülitidioodid (
  • Stabilitronid ja stabistorid
  • Stabilitron
  • Mahtuvusdioodid (
  • Fotodiood
  • Valgusdiood
  • Valgustustihedus E
  • Valgusdioodindikaatorid
  • Dioodide tähistamine
  • Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid
  • Alalduslülitused
  • Ühefaasiline poolperioodalaldi
  • Trafo keskväljavõttega täisperioodalaldi
  • Täisperioodalaldi sildlülitus
  • Alaldi töö mahtuvuslikule koormusele
  • Pinget kordistavad alaldid
  • max
  • Silufiltrid
  • Stabilisaatorid
  • Stabilisaatorite parameetrid ja liigid
  • Stabiliseerimispiirkond
  • Stabiliseerimise täpsus
  • Stabiliseerimistegur
  • Maksimaalne koormusvool
  • Väljundtakistus
  • Stabilitron-stabilisaatorid
  • Kompensatsioonilised pingestabilisaatorid
  • Reguleer
  • Võimendi
  • Võrdlus
  • LT1038
  • P-N-P
  • Võimendi sisend ja väljundtakistus
  • Sisendtakistus
  • Välj
  • Transistori tööpõhimõte
  • JOONIS 4.4
  • Transistori kolm lülitust
  • Ühise baasiga lülitus
  • VÄLJ
  • Ühise emitteriga lülitus
  • Ühise kollektoriga lülitus
  • Transistori staatilised tunnusjooned
  • Transistori parameetrid
  • Piirparameetrid
  • Võimendusparameetrid
  • Lülitirežiimi parameetri
  • Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest
  • Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist
  • Transistori kolm režiimi
  • CEsat
  • Küllastusrežiim
  • Aktiivrežiim
  • Sulgerežiim
  • Transistor lüliti režiimis
  • Lineaar
  • Küllastus
  • Sulge
  • Transistori tööpunkti fikseerimine
  • Bsism
  • Transistori tööpunkti stabiliseerimine
  • pingejaguri vool)
  • F20ŗ
  • F40ŗ
  • Liittransistor ehk Darlingtoni transistor
  • Transistoride liigid
  • Field Effect Transistor (FET)
  • Väljatransistori mõiste ja põhiliigid
  • P-N-siirdega väljatransistorid
  • sisendmahtuvus ja
  • läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel
  • Isoleeritud paisuga väljatransistorid
  • Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid
  • Indutseerkanaliga MOSFET transistor
  • JOONIS 5.6
  • Vaeguspiirkond
  • Kanal
  • Suurevõimsuselised väljatransistorid
  • Väljatransistor lüliti režiimis
  • Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel
  • Takistusrežiim
  • IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor)
  • Väljatransistoride eriliike
  • Kahe paisuga väljatransistor
  • Transistoride tähistus
  • Üldist neljakihiliste seadiste kohta
  • Dioodtüristor ehk dinistor
  • Unilateral Switch
  • Sümmeetriline dioodtüristor ehk DIAC
  • Trioodtüristor ehk SCR türistor
  • Trioodsümmistor ehk TRIAC
  • Tüürvoohiga väljalülitatav türistor ehk GTO türistor
  • Kasutusnäiteid
  • Türistoride tähistamine
  • Võimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid
  • Võimendamisel tekkivad moonutused
  • Δf=B
  • Mitmeastmelised võimendid
  • RC sidestus
  • Otsene sidestus
  • Lõppvõimendid
  • Trafosidestus lõppvõimendi
  • Vastastaktlülituses lõppvõimendi
  • (+)
  • Tagasiside võimendites
  • Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele
  • Tagasiside
  • Tagasiside lülitused
  • Emitterjärgur
  • Parasiitne tagasiside
  • Väljundjuhe
  • Sisendjuhe
  • Varje
  • Üldist mikroelektroonikast
  • Ehitus, kasutuse eripära ja liigid
  • Operatsioonvõimendid
  • MI-sisend
  • I-sisend
  • Mitteinverteeriv võimendi
  • Inverteeriv võimendi

Teemad

  • SISUKORD
  • POOLJUHTIDE OMADUSI
  • Üldist
  • Elektrijuhtivus pooljuhtides
  • omajuhtivusega
  • elektronjuhtivuseks
  • aukjuhtivuseks
  • juhtivuseks
  • lisandjuhtivust
  • juhtivuselektroniks
  • N-pooljuhiks
  • aktseptoriteks
  • enamuslaengukandjateks
  • vähemuslaengukandjateks
  • The P-N Junction)
  • siirdeks
  • potentsiaalibarjääriks
  • vastupingerežiimiks
  • vastuvooluks
  • pärisuunarežiimiks
  • on ventiili omadus - juhtida
  • voolu ühes suunas
  • Päripingel on siirde takistus väike, vastupinge korral aga suur
  • Temperature Effects
  • P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest
  • taastumiskestuseks
  • Breakdown)
  • suurima lubatava pärivooluga
  • suurima lubatava
  • vastupingega
  • POOLJUHTDIOODID (Diodes)
  • Pooljuhtdioodide liigid
  • Rectifier Diode
  • Switching Diode
  • Zener Diode)
  • stabistorideks
  • Capacitance Diode
  • varikap
  • Fotodiood
  • Photodiode)
  • Light Emitting Diode
  • LED-display)
  • Dioodide tähistamine
  • TOITESEADMED
  • Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid
  • Alalduslülitused
  • Ühefaasiline poolperioodalaldi
  • Trafo keskväljavõttega täisperioodalaldi
  • Täisperioodalaldi sildlülitus
  • Alaldi töö mahtuvuslikule koormusele
  • Pinget kordistavad alaldid
  • Silufiltrid
  • välj
  • Filter
  • Stabilisaatorid
  • Stabilisaatorite parameetrid ja liigid
  • Stabiliseerimispiirkond
  • väljn
  • Stabilitron-stabilisaatorid
  • välj min
  • välj max
  • Kompensatsioonilised pingestabilisaatorid
  • element
  • TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT)
  • Transistori ehitus
  • N-P-N
  • kollektoriks
  • kollektorsiirdeks
  • Võimendi sisend ja väljundtakistus
  • Transistori tööpõhimõte
  • kollektorsiire
  • Kokkuvõtlikult võime transistori tööpõhimõtte kohta öelda järgmist: väikese takistusega
  • emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegu sama suurtena üle suure
  • takistusega kollektorringi ning kollektorringi lülitatud koormustakistilt saamegi võimendatud
  • väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka
  • selle nimetus. (TRANSfer resISTOR)
  • Transistori kolm lülitust
  • Common Base)
  • CC - Common Colkctor)
  • Ühise baasiga lülitus
  • Ühise emitteriga lülitus
  • Ühise kollektoriga lülitus
  • Transistori staatilised tunnusjooned
  • {output characteristics)
  • input characteristics)
  • Transistori parameetrid
  • Piirparameetrid
  • Kollektori suurim lubatav hajuvõimsus P
  • Suurim lubatav kollektorpinge U
  • Kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge U
  • Emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge
  • Suurim lubatav kollektorvool I
  • Võimendusparameetrid
  • Vooluvõimendustegur
  • transiitsagedus
  • võimenduse piirsageduse
  • Lülitirežiimi parameetri
  • Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge
  • BESAT
  • Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge
  • Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest
  • Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist
  • Transistori kolm režiimi
  • sulgerežiimiks
  • cutoff region)
  • active region)
  • küllastusrežiimi
  • Transistor lüliti režiimis
  • c sat
  • b sat
  • Transistori tööpunkti fikseerimine
  • Transistori tööpunkti stabiliseerimine
  • Liittransistor ehk Darlingtoni transistor
  • Transistoride liigid
  • small signal transistors)
  • power transistors)
  • {radio frequency)
  • VÄLJATRANSISTORID
  • Väljatransistori mõiste ja põhiliigid
  • {drain)
  • {gate)
  • Metal-Oxid-Semiconductor)
  • Junction FET (JFET))
  • {Voltage-controlled resistance region)
  • pinch-off region)
  • breakdown region)
  • DSmax
  • suurim lubatav hajuvõimsus;
  • DSmax
  • suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku ühendatud);
  • GSmax
  • suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge;
  • Dmax
  • suurim lubatav neeluvool;
  • suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras
  • sisendmahtuvus ja
  • läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel
  • MOSFET)
  • Depletion-Type MOSFET)
  • Enchancement-Type MOSFET)
  • Power MOSFET)
  • Väljatransistor lüliti režiimis
  • Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel
  • IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor)
  • Väljatransistoride eriliike
  • Dual-Gate FET)
  • NB! Isoleeritud paisuga väljatransistorides kasutatav paisualune isolatsioon on
  • elektriliselt väga nõrk ja võib tekkida läbilöök ka elektrostaatilise laengu toimest
  • Siit tulenebki elektroonikatööstuse elektrostaatiliste laengute vältimise probleem
  • Transistoride tähistus
  • NELJAKIHILISED SEADISED EHK TÜRISTORTÜÜPI ELEMENDID
  • Thyristors, Four- Layer Devices
  • Üldist neljakihiliste seadiste kohta
  • Dioodtüristor ehk dinistor
  • break-over voltage)
  • holding curreni)
  • Silicon
  • Sümmeetriline dioodtüristor ehk DIAC
  • Trioodtüristor ehk SCR türistor
  • Silicon Controlled Rectifier
  • Trioodsümmistor ehk TRIAC
  • Tüürvoohiga väljalülitatav türistor ehk GTO türistor
  • Gate Turn Off
  • Silicon Controlled Switch
  • Kasutusnäiteid
  • Juhtskeem
  • Türistoride tähistamine
  • VÕIMENDID
  • Võimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid
  • a) Madalsagedus- ehk helisagedusvõimendid
  • kHz
  • b)Alalispingevõimendid
  • c) Ribavõimendid
  • Võimendustegur
  • välj
  • Võimendatav sagedusriba
  • c)Väljundvõimsus P
  • d)Nominaal ehk nimisisendsignaal U
  • e)Sisendtakistus R
  • h)Väljundtakistus R
  • Võimendamisel tekkivad moonutused
  • f
  • K=f(f)
  • Mitmeastmelised võimendid
  • RC sidestus
  • Otsene sidestus
  • Lõppvõimendid
  • Trafosidestus lõppvõimendi
  • Vastastaktlülituses lõppvõimendi
  • Tagasiside võimendites
  • Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele
  • Tagasiside lülitused
  • Emitterjärgur
  • Parasiitne tagasiside
  • tagasiside vool
  • VEDELKRISTALLINDIKAATORID
  • LCD - Liquid Cristal Display)
  • MIKROELEKTROONIKA ALUSED
  • Üldist mikroelektroonikast
  • integraal
  • circuts, IC)
  • Ehitus, kasutuse eripära ja liigid
  • Operatsioonvõimendid
  • OP-amps)

Kommentaarid (5)


Villu Männik: hea materjal. Soovitan.
15:55 30-05-2017

kristjan771: väga hea materjal
12:27 27-02-2013

kondaja897: aitas küll
00:59 09-06-2012


Sarnased materjalid

114
doc
108
pdf
23
doc
32
docx
46
doc
17
docx
138
pdf
9
docx





30 päevane VIP +50% ROHKEM

Telli VIP ja ole 30+14 päeva mureta

5.85€

3.9€

Oled juba kasutaja? Logi sisse

Faili allalaadimiseks, pead sisse logima
Kasutajanimi / Email
Parool

Unustasid parooli?

Pole kasutajat?

Tee tasuta konto