Elektroonika alused (0)

5 VÄGA HEA
Punktid
 
Säutsu twitteris
 
Elektroonika alused
 
Elektroonikaseadmete koostaja erialale
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2007
 
SISUKORD
  24
I 25
U2 25
  25
VD2 25
  27
  28
  30
1 32
  34
  35
  38
  80
Mitmeastmelise võimendi korral 83

1. POOLJUHTIDE OMADUSI
 
1.1.Üldist
Pooljuhtseadised ja nende kasutamine oli eelmise sajandi tehnilise revolutsiooni  peasüüdlaseks. Nendeta ei oleks personaalarvuteid, mobiiltelefone ega palju muud sellist, mis tundub meile igapäevasena. Võime julgesti öelda , et  ilma pooljuhtseadisteta ei oleks praegust infoühiskonda.
Samal ajal tuleb meeles pidada , et pooljuhttehnika on poole sajandi jooksul  läbinud juba  mitu arenguetappi. On olnud germaaniumi ajastu, kus enamik pooljuhtseadiseid valmistati germaaniumist , järgnes räniajastu , mis jätkub senini ja mille raames algas massiline integraallülituste tootmine ja  kasutamine. Praeguseks on alanud  nanotehnoloogia ajastu , kus elementide mõõtmed pooljuhtkristallis lähenevad  nanomeetrile
 
1.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides
Pooljuhtideks nimetatakse suurt  hulka aineid, mille elektrijuhtivus on elektrijuhtide ja isolaatorite vahepeal .  Elektrijuhtide mahueritakistus on vahemikus 10 -4 …10 –6  W cm , isolaatoritel 10 10…10 18  W cm. ja  pooljuhtidele jääb küllalt suur vahemik 10… 10 1   W cm.
Tuntumad  pooljuhid on germaanium , räni  , galliumarseniid jt . Tänapäeval kasutatakse kõige enam  räni.
Kõik põhilised  pooljuhtmaterjalid   kuuluvad Mendelejevi tabeli 4. rühma ja  neil on elektronstruktuuri väliskihis 4 elektroni , mis on pooljuhtidele tüüpiline.
    Kasutatavatele pooljuhtmaterjalidele on iseloomulik kristalliline ehitus. Kristallilise ehituse puhul  paiknevad kõik aine aatomid   ruumis kindlatel kohtadel ja on omavahel seotud . Pooljuhtide kristallstruktuuris on aatomid seotud kovalentsete ehk kaheelektroniliste sidemetega . On  iseloomulik , et  kovalentsetest sidemetest osavõtvad valentselektronid  kuuluvad  korraga  nagu  kahele aatomile . Seetõttu võib kujutleda , et aatomi välisorbiidil on kaheksaelektroniline stabiilne struktuur . Kirjeldatud  kovalentsete sidemetega struktuuri  kujutatakse skemaatiliselt joonise 1..1. kohaselt. Taolise struktuuri juures on kõik elektronid  tugevalt seotud tuumaga ja voolu  tekitavaid vabu elektrone ei esine.
 
 
 
Ühised valentselektronid
 
JOONIS 1.1.
 
Sellist ideaalset struktuuri omavad  keemiliselt puhtad  pooljuhid  absoluutse nulltemperatuuri juures
(-273 °C). Säärases olukorras on kõik pooljuhid isolaatorid. Väliste tegurite mõjul võivad aga väliskihi elektronid saada juurde energiat ja saadud lisaenergia arvel lahkuda oma kohalt struktuuris, kuna selleks vajalik lisaenergia on küllaltki väike (ränil 1,1 eV, germaaniumil 0,67 eV). Põhiliseks väliseks teguriks , mis soodustab juhtivuselektronide tekkimist, on temperatuur. Struktuurist lahkunud elektroni kohale jääb vaba koht. Seetõttu omandab aatom positiivse laengu, mille väärtus võrdub elektroni laenguga. Taolist vaba kohta nimetatakse auguks ja me võime teda vaadelda positiivse ühiklaenguna. Kuna auk omab positiivset laengut, võib ta tõmmata oma kohale struktuuris mõne kõrvalaatomi elektroni. Selle protsessi kordumisel auk nagu liiguks, kusjuures see liikumine on elektroni liikumisega vastassuunaline.
Rakendades pooljuhile elektrivälja, hakkavad vabanenud elektronid liikuma elektrivälja suunale vastu ja tekkinud augud elektrivälja suunas, nii nagu käituks positiivne ühiklaeng. Kirjeldatud nähtust aitab selgitada joonisel 1.2 toodud skeem. Joonisel tähtedega tähistatud ridades on aine struktuur erinevatel ajahetkedel. Võime jälgida, kuidas toimub augu liikumine esimesest aatomist viiendani.
 

JOONIS 1 2
 
Nagu joonisel toodud skeemil selgub , esineb üheaegselt nii elektronide kui aukude liikumine. Kui keemiliselt puhtas aines tekkib üheaegselt sama arv elektrone ja auke , nagu praegu kirjeldasime, siis on meil tegemist materjali omajuhtivusega Laengukandjaid on siin kahesuguseid ja eristatakse ka kahesugust juhtivust. Elektronide liikumisest tingitud juhtivust nimetatakse elektronjuhtivuseks ehk N-juhtivuseks (sõnast " negative "), aukude liikumisest tingitud juhtivust aga aukjuhtivuseks ehk P-juhtivuseks(sõnast " positive ").
Peale omajuhtivuse on sobivate lisandite lisamisega materjalile võimalik kunstlikult tekitada täiendavat - lisandjuhtivust. Lisanditest tingitud juhtivus on alati üheliigiline, s.t. kas elektron - või aukjuhtivus. Lisandjuhtivuse tekitamiseks lisatakse pooljuhtmaterjalile kas kolme- või viievalentseid lisandeid, mis peavad ise olema võimalikult puhtad  ja lisandite hulk peab olema selline, et säiliks ainele tüüpiline kristallstruktuur.
Vaatleme esmalt olukorda, kus põhiainele on lisatud viievalentset lisandit, milleks võib olla antimon (Sb), arseen (As) või fosfor (P) Viievalentse lisandi aatom võtab aine struktuuris endale koha analoogiliselt põhiaine aatomile, kuid tema ühele elektronile ei leidu struktuuris kindlat kohta (vt. joonis 1.3). Esialgu see elektron püsib aatomi mõjupiirkonnas, kuid väga väikesegi lisaenergia saamisel ta lahkub oma aatomi juurest ja muutub juhtivuselektroniks, alludes mõjuva elektrivälja toimele.
Vaadeldud juhul tekkis aines lisandi mõjul N-juhtivus. Aine juhtivus on nüüd suurem ja vool tekib aines elektronide liikumisena. Lisandina kasutatavaid N-juhtivust tekitavaid aineid nimetatakse
 
 
 
 
 
 
 
N-type semiconductor
Vaba elektron
Lisandi aatom (doonor)
 
JOONIS 1.3.

doonoriteks. Pooljuhti, kus lisanditega on tekitatud N-juhtivus, nimetatakse N-pooljuhiks
Vastupidine pilt tekib siis, kui lisanditena kasutada kolmevalentseid aineid, nagu boori (B), galliumi (Ga) või indiumi (In). Sel juhul jääb struktuuris üks elektron puudu. See koht võib aga täituda kõrvalaatomi elektroniga ja tekibki struktuuri auk (vt. joonis 1.4). Vool sellises pooljuhis tekib aukude liikumisena Seega tekitas kolmevalentne lisand aukjuhtivuse. Aukjuhtivust tekitavaid lisandeid nimetatakse aktseptoriteks
P–type semiconduktor
Auk
Lisandi aatom (aktsptor)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
JOONIS 1.4.
 
Üheaegselt lisandjuhtivusega esineb aines alati ka omajuhtivus , mistõttu materjalis leidub nii elektrone kui auke. Vastavalt kasutatud lisanditele on aga üks või teine ülekaalus, N-pooljuhis on ülekaalus elektronid ja nad on seal enamuslaengukandjateks ning seal leiduvad augud on vähemuslaengukandjateks; P-pooljuhis on aga vastupidi, enamuslaengukandjateks on seal augud ja vähemuslaengukandjateks elektronid. Kuna pooljuhtseadiste töös on vähemuslaengukandjad enamasti ebasoovitavaid nähtusi esilekutsuvaks põhjuseks, siis püütakse pooljuhtmaterjalide omajuhtivust võimalikult vähendada.
Kirjeldatust nähtub, et pooljuhtide elektrijuhtivus on oluliselt seotud nende ainete kristallstruktuuriga. Ideaalse kristallstruktuuri saamiseks peavad ained olema aga väga puhtad. Nii näiteks lubatakse enamiku seadiste lähtematerjaliks oleva omajuhtivusega pooljuhile  lisandeid vaid üks aatom tuhande miljoni põhiaatomi kohta (1/109). Samuti on piiratud ainesse viidavate lisandite hulk, et säiliks põhiaine struktuur. Lisandite lubatav kontsentratsioon on üks aatom kümne miljoni põhiaatomi kohta (1/107). Seega võime öelda, et pooljuhtseadiste valmistamise keerukas tehnoloogia algab eriti puhaste ainete saamisest.
 
1.3.P-N- siire ja tema alaldav toime (The P-N Junction )
Kui ühes pooljuhtkristallis tekitada kaks erineva juhtivusega osa, üks elektronjuhtivusega ja teine aukjuhtivusega, siis nende erinevate juhtivustega osade üleminekupiirkonda nimetatakse P-N-siirdeks. P-N-siirdes tekkivad nähtused ja tema omadused on enamiku pooljuhtseadiste töö aluseks. Praktiliselt saadakse selline olukord pooljuhtkristalli erinevate lisandite sisseviimise teel. Sellises kristallis on N-osas külluses elektrone ja P-osas külluses auke. Difusiooni (aine osakeste soojusliku liikumise) toimel hakkab taolises olukorras toimuma laengukandjate vahetus. Nimelt on N-osas hulk elektrone, milledel puuduvad struktuuris kohad. Need kohad on aga vabad kõrvalolevas P-osas. Sellises olukorras hakkavad elektronid soojusliku (difusioonse) liikumise tulemusena liikuma P-osas olevatele vabadele kohtadele. Laengute liikumise tulemusena saab P-osa laenguid juurde ja omandab negatiivse laengu, N-osa aga kaotab samapalju elektrone ja omandab seega positiivse laengu. Need laengud vahetuvad ainult piirkihis, sest difusiooni teel liikudes ei jõua laengukandjad kaugele ja seda liikumist hakkab takistama ka tekkiv elektriväli.
Joonisel 1.5. on selgitatud seda nähtust ruumilaengu tiheduse ja potentsiaalide erinevuse graafiku abil. Tekkivat potentsiaalide vahet nimetatakse potentsiaalibarjääriks
Kui aga on olemas erinimelised laengud ja potentsiaalide vahe, siis esineb ka elektriväli EPN , mis on suunatud N-osast P- ossa . Tekkinud elektriväli on aga suunatud laengukandjate liikumisele vastu ja laengukandjate liikumine ühest osast teise toimub seni, kuni nende endi poolt tekitatud elektriväli selle katkestab.
 
 
JOONIS 1.5
 
Olukorda võime vaadelda ka sellisena, nagu tekiks erinevate osade vahel isoleeriv tõkkekiht, sest piirikihis on ruumilaengu tihedus null, s.t. puuduvad voolu tekkimiseks vajalikud laengukandjad.
Kui ühendada P-N-siire pingeallikaga selliselt , et pingeallika plussklemm oleks ühendatud N-osaga ja miinusklemm P-osaga, siis on vooluallika poolt tekitatud elektriväli samasuunaline P-N-siirde elektriväljaga (vt. joonis 1.6). Elektriväljade liitu­ mise tõttu suureneb summaarne potentsiaalibarjäär veelgi. Samal ajal leiab aset ka enamuslaengukandjate liikumine (pingeallika elektrivälja mõjul) pingeallika klemmide poole ja ruumilaengu tihedus suureneb veelgi. Kuna elektriväli on nüüd siirdes eelne­vaga võrreldes veelgi tugevam, siis ei saa enamuslaengukandjad siiret  läbida. . Selliselt pingestatud siirde olukorda nimetatakse vastupingerežiimiks. P-N-siiret läbib vastupinge olukorras siiski ka  väga nõrk vool, mida nimetatakse vastuvooluks Vastuvoolu põhjustajaks on vähemuslaengukandjad , mis saavad mõjuva elektrivälja kaasabil siiret läbida Võime kujutleda ka, et siirde tõkkekiht muutub nagu paksemaks.
Reverse Biased Junction
 
JOONIS 1.6
 
Tingituna vähemuslaengukandjate piiratud kontsentratsioonist sõltub vastuvool siirdele rakendatud  vastupingest väga vähe. Vastuvool sõltub samuti ka materjalist.. Ränil on ta märksa väiksem kui germaaniumil.
Kui ühendada P-N-siire vastupidise polaarsusega pingeallikaga, siis on ka esinevad nähtused vastupidised (vt. joonis 1.7). Sel juhul on välise pingeallika poolt tekitatud elektriväli suunatud vastu P-N-siirde elektriväljale ja siirdes mõjuv elektriväli hakkab vähenema, muutub nulliks ja siis muudab koguni suunda. Samal ajal liiguvad enamuslaengukandjad siirde suunas, kuni laengud siirdes kaovad koos potentsiaali-barjääri kadumisega.
Forward-Biased
Junction
JOONIS.1.7.
 
Sellises olukorras hakkavad enamuslaengukandjad soodustatult läbima siiret ja kogu vooluringi läbib tugev vool. Selliselt pingestatud siirde olukorda nimetatakse ava- ehk pärisuunarežiimiks ja esinevat voolu ava- ehk pärivooluks. Seega näeme, et P-N-siirdel on ventiili omadus - juhtida voolu ühes suunas. P-N-siire ongi sellest omadusest tulenevalt pooljuhtdioodide põhiosaks. Eri materjalidel on potentsiaalibarjäär erinev ja sellest tulenevalt algab ka pärivool erinevatel pingete väärtustel. Joonisel 1.8 on toodud räni ja germaaniumi P-N-siirete pinge-voolu tunnusjooned, P-N-siiret võime vaadelda ka kui muutva takistusena elementi, mille takistus oleneb rakendatud pingest (joonis 1.9). Päripingel on siirde takistus väike, vastupinge korral aga suur.
 
 
IF
Läbilöögi Pinge. UBR
 
 
 
 
 
 
 
 
 
JOONIS 1.8.
 
 
R
 
JOONIS 1.9
 
1.4. P-N siirde omaduste sõltuvus temperatuurist (Temperature Effects )
Nagu eespool märgitud, on lisanditeta pooljuht absoluutsel nulltemperatuuril dielektrik . Lisanditega pooljuht on aga ka sellises olukorras küllaldase juhtivusega. Seetõttu võiks P-N-siire töötada väga madalatel temperatuuridel . Tehnoloogilistel ja konstruktiivsetel põhjustel loetakse enamiku pooljuhtseadiste alumiseks töötemperatuuripiiriks -60 C°. Temperatuuri tõusuga omandavad elektronid suurema energia ja  omajuhtivus suureneb. Lisandjuhtivus sõltub samuti teataval määral temperatuurist. Mingi temperatuuri juures on lisandid ära andnud kõik oma laengukandjad ja edasise temperatuuri tõusuga lisandjuhtivus enam ei suurene. Samal ajal aga suureneb pidevalt omajuhtivuse laengukandjate arv, kuni omajuhtivus saab lisandjuhtivusest suuremaks . Säärases olukorras kaob potentsiaalibarjäär ja kaob P-N-siire koos ventiiliomadustega. Toodud põhjustel on pooljuhtseadiste töötemperatuur piiratud. Lubatav töötemperatuur sõltub materjalist ja on räni puhul 120...200 C° (germaaniumil 70...90  C°). Kirjeldatud nähtus avaldub P-N-siiret läbiva voolu suurenemises temperatuuri tõusmisel. Seejuures on vastuvoolu suurenemine tugevam, kuna kõik vastuvoolu põhjustavad laengukandjad on pärit omajuhtivusest, pärivoolu suurenemine on aga palju väiksem kuna vaid väike osa pärivoolu põhjustavatest laengukandjatest on pärit omajuhtivusest.
P-N-siirde tunnusjoon erinevatel temperatuuridel on toodud joonisel 1.10. Vastuvoolu sõltuvus temperatuurist on eksponentne. Vastuvoolu suurenemise hindamiseks võime kasutada järgmist reeglit: vastuvool suureneb temperatuuri tõustes 8..10 C° võrra kahekordseks. Pärivoolu suurenemine avaldub ka siirde päripingelangu vähenemises.
 
JOONIS 1.10.
 
1.5. P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest
P-N-siirde talitus sõltub ka rakendatud pinge sagedusest. Sagedust piiravaks teguriks on põhiliselt
P-N-siirde inerts. Kui siirdele mõjub päripinge, siis tõkkekiht puudub. Kui aga rakenduv pinge muudab polaarsust, siis tekib tõkkekiht.
 
JOONIS 1.11
 
Tõkkekihi tekkimine ei toimu aga momentaalselt, vaid alles mõne hetke möödumisel. Kui tõkkekiht ei ole veel kujunenud, siis läbib siiret vool ka negatiivse poolperioodi algul (joonis 1.11). Kirjeldatud nähtus ilmneb kõrgetel sagedustel vastuvoolu suurenemisena. Aega, mis kulub tõkkekihi taastamiseks pinge polaarsuse muutumisel, nimetatakse taastumiskestuseks ja selleks loetakse ajavahemikku, mille jooksul vastutakistus saavutab 90% oma väärtusest pärast ümberlülitumist päripingelt vastupingele.
 
1.6. P-N-siirde läbilöök (Breakdown)
P-N-siirde pärisuunarežiim on piiratud suurima lubatava pärivooluga. Lubatav pärivool sõltub siirde mõõtmetest ja kasutatud materjalist. Vastusuuna
80% sisust ei kuvatud. Kogu dokumendi sisu näed kui laed faili alla
Vasakule Paremale
Elektroonika alused #1 Elektroonika alused #2 Elektroonika alused #3 Elektroonika alused #4 Elektroonika alused #5 Elektroonika alused #6 Elektroonika alused #7 Elektroonika alused #8 Elektroonika alused #9 Elektroonika alused #10 Elektroonika alused #11 Elektroonika alused #12 Elektroonika alused #13 Elektroonika alused #14 Elektroonika alused #15 Elektroonika alused #16 Elektroonika alused #17 Elektroonika alused #18 Elektroonika alused #19 Elektroonika alused #20 Elektroonika alused #21 Elektroonika alused #22 Elektroonika alused #23 Elektroonika alused #24 Elektroonika alused #25 Elektroonika alused #26 Elektroonika alused #27 Elektroonika alused #28 Elektroonika alused #29 Elektroonika alused #30 Elektroonika alused #31 Elektroonika alused #32 Elektroonika alused #33 Elektroonika alused #34 Elektroonika alused #35 Elektroonika alused #36 Elektroonika alused #37 Elektroonika alused #38 Elektroonika alused #39 Elektroonika alused #40 Elektroonika alused #41 Elektroonika alused #42 Elektroonika alused #43 Elektroonika alused #44 Elektroonika alused #45 Elektroonika alused #46 Elektroonika alused #47 Elektroonika alused #48 Elektroonika alused #49 Elektroonika alused #50 Elektroonika alused #51 Elektroonika alused #52 Elektroonika alused #53 Elektroonika alused #54 Elektroonika alused #55 Elektroonika alused #56 Elektroonika alused #57 Elektroonika alused #58 Elektroonika alused #59 Elektroonika alused #60 Elektroonika alused #61 Elektroonika alused #62 Elektroonika alused #63 Elektroonika alused #64 Elektroonika alused #65 Elektroonika alused #66 Elektroonika alused #67 Elektroonika alused #68 Elektroonika alused #69 Elektroonika alused #70 Elektroonika alused #71 Elektroonika alused #72 Elektroonika alused #73 Elektroonika alused #74 Elektroonika alused #75 Elektroonika alused #76 Elektroonika alused #77 Elektroonika alused #78 Elektroonika alused #79 Elektroonika alused #80 Elektroonika alused #81 Elektroonika alused #82 Elektroonika alused #83 Elektroonika alused #84 Elektroonika alused #85 Elektroonika alused #86 Elektroonika alused #87 Elektroonika alused #88 Elektroonika alused #89 Elektroonika alused #90 Elektroonika alused #91 Elektroonika alused #92 Elektroonika alused #93 Elektroonika alused #94 Elektroonika alused #95 Elektroonika alused #96 Elektroonika alused #97 Elektroonika alused #98 Elektroonika alused #99 Elektroonika alused #100 Elektroonika alused #101 Elektroonika alused #102 Elektroonika alused #103 Elektroonika alused #104 Elektroonika alused #105 Elektroonika alused #106 Elektroonika alused #107 Elektroonika alused #108 Elektroonika alused #109 Elektroonika alused #110 Elektroonika alused #111 Elektroonika alused #112 Elektroonika alused #113 Elektroonika alused #114
Punktid 100 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 100 punkti.
Leheküljed ~ 114 lehte Lehekülgede arv dokumendis
Aeg2010-12-02 Kuupäev, millal dokument üles laeti
Allalaadimisi 103 laadimist Kokku alla laetud
Kommentaarid 0 arvamust Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
Autor karel3333 Õppematerjali autor

Meedia

Lisainfo

Õppematerjal/raamat
ELEKTROONIKA ALUSED
Elektroonikaseadmete koostaja erialale

elektroonika , elektrotehnika , elektroonika alused , võimendid , transistorid , dioodid , türistorid , trioodid

Mõisted

elektrijuhtide mahueritakistus, tuntumad pooljuhid, pooljuhtide kristallstruktuuris, nimetatakse p, sõltuvus temperatuurist, dioodidest, ühendatud dioodid, stabiliseerimispinge u, läbilöögirežiim, diferentsiaaltakistus r, pingest, töövool, kolmas element, kolmas element, jaapani süsteem, detektor, alaldus, lainelisuse vähendamiseks, massi põhjuseks, väljundpinge pulsatsioon, ühefaasiline poolperioodalaldi, tarbitavad voolud, pulsatsiooni silumine, selgitavad diagrammid, alaldustegur, dioodi parameetrid, ülemine klemm, järgmisel poolperioodil, sildlülituse trafo, nähtusega, passiivfiltrid, stabilisaatori ülesandeks, stabiliseerimispiirkond, impulss, zener, voolu i, stabilitroni pinged, väljundpinge stabiilsus, impuss, transistor, sisendtakistus r, väljundtakistus r, kujuteldavalt, kasutame n, a väärtus, olevad alalispinge, lülituses, etteantud temperatuuriks, baasiahela takistus, l f, teiseks põhjuseks, füüsikast, mõjutajaks, lineaar, toodud kompensatsiooni, tarbimise seisukohalt, ühendatud lätte, vahel p, iseärasuseks, väljundtakistus, udsmax, lätte, eriliigiks, mosfet transistorid, kanaliga f, sellel transistoril, isolatsioon, tähistussüsteemid, kõrgsageduslik n, kolmas element, madalsageduslik p, türistor, dioodtüristori pinge, vastupinge, dioodtüristori vastusuunarežiim, türistori tunnusjooned, ahelates, alalisvooluahelates, kolmas element, nimetatud objektid, sellisteks elementideks, ribavõimendi, võimendatavat sagedusala, võimendi, tekkivaid moonutusi, nimetatakse amplituudi, oluliseks tunnuseks, vähemkvaliteetsemal 3, vaheldumisi n, vt1, sisendtrafot, lülituse puuduseks, usis, tekkiv tagasiside, tööpunkti fikseerimiseks, signaali amplituud, eripäraks, mahtuvus, vedelkristallides, peegelindikaatoreis, mikrolülitused, tähistatud sisendit, operatsioonvõimendil

Sisukord

  • ELEKTROONIKA ALUSED
  • Üldist
  • Elektrijuhtivus pooljuhtides
  • Ühised valentselektronid
  • N-type semiconductor
  • Vaba elektron
  • Lisandi aatom (doonor)
  • P–type semiconduktor
  • P-N-siire ja tema alaldav toime
  • Reverse Biased Junction
  • Forward-Biased
  • Junction
  • Päripingel on siirde takistus väike, vastupinge korral aga suur
  • Läbilöögi Pinge. U
  • P-N siirde omaduste sõltuvus temperatuurist (
  • P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest
  • P-N-siirde läbilöök
  • Pooljuhtdioodide liigid
  • Alaldusdioodid (
  • Lülitidioodid (
  • Stabilitronid ja stabistorid
  • Stabilitron
  • Mahtuvusdioodid (
  • Fotodiood
  • Valgustustihedus E
  • Valgusdiood
  • Valgusdioodindikaatorid
  • Dioodide tähistamine
  • Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid
  •      
  • Alalduslülitused
  • Ühefaasiline poolperioodalaldi
  • Trafo keskväljavõttega täisperioodalaldi
  • Täisperioodalaldi sildlülitus
  • Alaldi töö mahtuvuslikule koormusele
  • Pinget kordistavad alaldid
  • Silufiltrid
  • Stabilisaatorid
  • Stabilisaatorite parameetrid ja liigid
  • Stabiliseerimispiirkond
  • Stabiliseerimise täpsus
  • Stabiliseerimistegur
  • Maksimaalne koormusvool
  • Väljundtakistus
  • Stabilitron-stabilisaatorid
  • Z min
  • Kompensatsioonilised pingestabilisaatorid
  • Reguleer element
  • Võimendi
  • Võrdlus element
  • LT1038
  • Transistori ehitus
  • P-N-P
  • Võimendi sisend ja väljundtakistus
  • Sisendtakistus
  • Välj
  • Transistori tööpõhimõte
  • JOONIS 4.4
  • Kokkuvõtlikult võime transistori tööpõhimõtte kohta öelda järgmist: väikese
  • TRANSfer resISTOR)
  • Transistori kolm lülitust
  • Base)
  • Colkctor)
  • Ühise baasiga lülitus
  • VÄLJ
  • Ühise emitteriga lülitus
  • Ühise kollektoriga lülitus
  • Transistori staatilised tunnusjooned
  • Transistori parameetrid
  • Piirparameetrid
  • Võimendusparameetrid
  • Lülitirežiimi parameetri
  • Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest
  • Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist
  • Transistori kolm režiimi
  • CEsat
  • Küllastusrežiim
  • Aktiivrežiim
  • Sulgerežiim
  • Lineaar
  • Küllastus
  • Sulge
  • Transistor lüliti režiimis
  • Transistori tööpunkti fikseerimine
  • Bsism
  • pingejaguri vool)
  • Transistori tööpunkti stabiliseerimine
  • F20º
  • F40º
  • Liittransistor ehk Darlingtoni transistor
  • Transistoride liigid
  • Field Effect Transistor (FET)
  • Väljatransistori mõiste ja põhiliigid
  • P-N-siirdega väljatransistorid
  • sisendmahtuvus ja
  • läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel
  • Isoleeritud paisuga väljatransistorid
  • Formeeritud kanaliga MOSFET transistorid
  • Indutseerkanaliga MOSFET transistor
  • Vaeguspiirkond
  • Kanal
  • JOONIS 5.6
  • Suurevõimsuselised väljatransistorid
  • Väljatransistor lüliti režiimis
  • Takistusrežiim
  • Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel
  • JFETU
  • IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor)
  • Väljatransistoride eriliike
  • Kahe paisuga väljatransistor
  • Transistoride tähistus
  • Üldist neljakihiliste seadiste kohta
  • Dioodtüristor ehk dinistor
  • Silicon Unilateral Switch
  • Sümmeetriline dioodtüristor ehk DIAC
  • Trioodtüristor ehk SCR türistor
  • Controlled Rectifier
  • Trioodsümmistor ehk TRIAC
  • Tüürvoohiga väljalülitatav türistor ehk GTO türistor
  • Kasutusnäiteid
  • Türistoride tähistamine
  • Võimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid
  • Δf=B
  • Võimendamisel tekkivad moonutused
  • Mitmeastmelised võimendid
  • RC sidestus
  • Otsene sidestus
  • Lõppvõimendid
  • Trafosidestus lõppvõimendi
  • Vastastaktlülituses lõppvõimendi
  • (+)
  • Tagasiside võimendites
  • Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele
  • Tagasiside ahel
  • Tagasiside lülitused
  • Emitterjärgur
  • Parasiitne tagasiside
  • Väljundjuhe
  • Sisendjuhe
  • Varje
  • Üldist mikroelektroonikast
  • integraal circuts, IC)
  • Ehitus, kasutuse eripära ja liigid
  • Operatsioonvõimendid
  • MI-sisend
  • I-sisend
  • Mitteinverteeriv võimendi
  • Inverteeriv võimendi

Teemad

  • SISUKORD
  • POOLJUHTIDE OMADUSI
  • Üldist
  • Elektrijuhtivus pooljuhtides
  • omajuhtivusega
  • N-juhtivuseks
  • aukjuhtivuseks
  • juhtivuseks
  • lisandjuhtivust
  • juhtivuselektroniks
  • doonoriteks
  • pooljuhiks
  • aktseptoriteks
  • enamuslaengukandjateks
  • vähemuslaengukandjateks
  • The P-N Junction)
  • P-N-siirdeks
  • potentsiaalibarjääriks
  • vastupingerežiimiks
  • vastuvooluks
  • Seega näeme, et P-N-siirdel
  • on ventiili omadus - juhtida voolu ühes suunas
  • Temperature Effects
  • P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest
  • taastumiskestuseks
  • Breakdown)
  • suurima lubatava pärivooluga
  • suurima lubatava vastupingega
  • POOLJUHTDIOODID (Diodes)
  • Pooljuhtdioodide liigid
  • Rectifier Diode
  • Switching Diode
  • Zener Diode)
  • stabistorideks
  • Capacitance Diode
  • varikap
  • Fotodiood
  • Photodiode)
  • Light Emitting Diode
  • LED-display)
  • Dioodide tähistamine
  • TOITESEADMED
  • Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid
  • Alalduslülitused
  • Ühefaasiline poolperioodalaldi
  • Trafo keskväljavõttega täisperioodalaldi
  • Täisperioodalaldi sildlülitus
  • Alaldi töö mahtuvuslikule koormusele
  • Pinget kordistavad alaldid
  • Silufiltrid
  • Filter
  • välj
  • Stabilisaatorid
  • Stabilisaatorite parameetrid ja liigid
  • väljn
  • Stabiliseerimispiirkond
  • välj min
  • välj max
  • Stabilitron-stabilisaatorid
  • Kompensatsioonilised pingestabilisaatorid
  • TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT)
  • Transistori ehitus
  • N-P-N
  • kollektoriks
  • emitter-siirdeks
  • kollektorsiirdeks
  • Võimendi sisend ja väljundtakistus
  • Transistori tööpõhimõte
  • emittersiire
  • kollektorsiire vastupingega
  • takistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad
  • peaaegu sama suurtena üle suure takistusega kollektorringi ning kollektorringi
  • lülitatud koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime
  • transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus
  • TRANSfer resISTOR)
  • Transistori kolm lülitust
  • Common
  • CC - Common
  • Ühise baasiga lülitus
  • Ühise emitteriga lülitus
  • Ühise kollektoriga lülitus
  • Transistori staatilised tunnusjooned
  • {output characteristics)
  • input characteristics)
  • Transistori parameetrid
  • Piirparameetrid
  • Kollektori suurim lubatav hajuvõimsus P
  • Suurim lubatav kollektorpinge U
  • Kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge U
  • Emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge
  • Suurim lubatav kollektorvool I
  • Võimendusparameetrid
  • Vooluvõimendustegur
  • transiitsagedus
  • võimenduse piirsageduse
  • Lülitirežiimi parameetri
  • Baasi ja emitteri vaheline küllastuspinge
  • BESAT
  • Kollektori ja emitteri vaheline küllastuspinge
  • Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest
  • Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist
  • Transistori kolm režiimi
  • cutoff region)
  • active region)
  • küllastusrežiimi
  • Transistor lüliti režiimis
  • Transistori tööpunkti fikseerimine
  • Transistori tööpunkti stabiliseerimine
  • Liittransistor ehk Darlingtoni transistor
  • Transistoride liigid
  • small signal transistors)
  • power transistors)
  • {radio
  • frequency)
  • VÄLJATRANSISTORID
  • Väljatransistori mõiste ja põhiliigid
  • {drain)
  • {gate)
  • Metal-Oxid-Semiconductor)
  • Junction FET (JFET))
  • {Voltage-controlled resistance region)
  • pinch-off region)
  • breakdown region)
  • DSmax
  • suurim lubatav hajuvõimsus;
  • DSmax
  • suurim lubatav neelu ja lätte vaheline pinge (kui pais ja läte on kokku
  • ühendatud);
  • GSmax
  • suurim lubatav paisu ja lätte vaheline pinge;
  • Dmax
  • suurim lubatav neeluvool;
  • suurim lubatav paisu vool päripinge olukorras
  • sisendmahtuvus ja
  • läbivmahtuvus ehk mahtuvus sisendi ja väljundi vahel
  • MOSFET)
  • Depletion-Type MOSFET)
  • Enchancement-Type MOSFET)
  • Power MOSFET)
  • Väljatransistor lüliti režiimis
  • Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel
  • IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor)
  • Väljatransistoride eriliike
  • Dual-Gate FET)
  • NB! Isoleeritud paisuga väljatransistorides kasutatav paisualune
  • isolatsioon on elektriliselt väga nõrk ja võib tekkida läbilöök ka
  • elektrostaatilise laengu toimest. Siit tulenebki elektroonikatööstuse
  • elektrostaatiliste laengute vältimise probleem
  • Transistoride tähistus
  • NELJAKIHILISED SEADISED EHK TÜRISTORTÜÜPI
  • ELEMENDID
  • Thyristors, Four- Layer Devices
  • Üldist neljakihiliste seadiste kohta
  • Dioodtüristor ehk dinistor
  • break-over voltage)
  • holding curreni)
  • Sümmeetriline dioodtüristor ehk DIAC
  • Trioodtüristor ehk SCR türistor
  • Silicon
  • Trioodsümmistor ehk TRIAC
  • Tüürvoohiga väljalülitatav türistor ehk GTO türistor
  • Gate Turn Off
  • Silicon Controlled Switch
  • Kasutusnäiteid
  • Juhtskeem
  • Türistoride tähistamine
  • VÕIMENDID
  • Võimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid
  • kHz
  • a) Madalsagedus- ehk helisagedusvõimendid
  • b)Alalispingevõimendid
  • c) Ribavõimendid
  • Võimendustegur
  • välj
  • Võimendatav sagedusriba
  • c)Väljundvõimsus P
  • d)Nominaal ehk nimisisendsignaal U
  • e)Sisendtakistus R
  • h)Väljundtakistus R
  • Võimendamisel tekkivad moonutused
  • K=f(f)
  • f
  • Mitmeastmelised võimendid
  • RC sidestus
  • Otsene sidestus
  • Lõppvõimendid
  • Trafosidestus lõppvõimendi
  • Vastastaktlülituses lõppvõimendi
  • Tagasiside võimendites
  • Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele
  • Tagasiside lülitused
  • Emitterjärgur
  • Parasiitne tagasiside
  • tagasiside vool
  • VEDELKRISTALLINDIKAATORID
  • LCD - Liquid Cristal Display)
  • MIKROELEKTROONIKA ALUSED
  • Üldist mikroelektroonikast
  • integraal circuts, IC)
  • Ehitus, kasutuse eripära ja liigid
  • Operatsioonvõimendid
  • OP-amps)

Kommentaarid (0)

Kommentaarid sellele materjalile puuduvad. Ole esimene ja kommenteeri


Sarnased materjalid

46
doc
Elektroonika Alused
108
pdf
Elektroonika alused-õpik konspekt
81
doc
Elektroonika aluste õppematerjal
23
doc
Elektroonika alused-konspekt
138
pdf
Elektrotehnika alused
9
docx
Elektroonika vastused
17
docx
Elektroonika alused Konspekt
197
pdf
Elektroonika





Faili allalaadimiseks, pead sisse logima
Kasutajanimi / Email
Parool

Unustasid parooli?

Pole kasutajat?

Tee tasuta konto

UUTELE LIITUJATELE KONTO MOBIILIGA AKTIVEERIMISEL +50 PUNKTI !