4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest ............................................................................................................35 4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ....................................................................................................35 4.8. Transistori kolm reziimi .........................................................................................................................................36 4.9. Transistor lüliti reziimis......................................................................................................................................... 37 4.10. Transistori tööpunkti fikseerimine ........................................................................................................................39 4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine ..................................................................................................................40 4.12
võimalikult puhtad ja lisandite hulk peab olema selline, et säiliks ainele tüüpiline kristallstruktuur. Vaatleme esmalt olukorda, kus põhiainele on lisatud viievalentset lisandit, milleks võib olla antimon (Sb), arseen (As) või fosfor (P) Viievalentse lisandi aatom võtab aine struktuuris endale koha analoogiliselt põhiaine aatomile, kuid tema ühele elektronile ei leidu struktuuris kindlat kohta (vt. joonis 1.3). Esialgu see elektron püsib aatomi mõjupiirkonnas, kuid väga väikesegi lisaenergia saamisel ta lahkub oma aatomi juurest ja muutub juhtivuselektroniks, alludes mõjuva elektrivälja toimele. Vaadeldud juhul tekkis aines lisandi mõjul N-juhtivus. Aine juhtivus on nüüd suurem ja vool tekib aines elektronide liikumisena. Lisandina kasutatavaid N-juhtivust tekitavaid aineid nimetatakse N-type semiconductor 4 Vaba elektron
Protsessid pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26). - Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris (27...30). - Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32). - Bipolaarne liittransistor (33). - Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4.1 Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel 3.4.2 Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK 3.4
ELEKTROONIKA 1. osa 1. Mida nimetatakse elektroni väljumistööks? Väikseimat tööd, mida tehakse ühele elektronile täiendava energia andmisel ainest väljumiseks, nimetatakse väljumistööks. 2. Miks kasutatakse elektronivoo tüürimiseks negatiivset pinget? lk 9, lk 16 Elektronseadises on elektron mida nim kadoodiks ja mis emiteerib elektrone ehk saadab elektrone elektroodidevahelisse ruumi. Seejuures peab katood saama elektronide väljumistöö tegemiseks ühel või teisel kujul energiat. (lk 9) Kui anoodi ja katoodi vahele rakendada potentsiaalide vahe, mille ,,pluss" on anoodil ja ,,miinus" katoodil, tõmbab anood kuumutatud katoodist elektroodidevahelisse ruumi väljunud elektronid endale ja välises anoodi ja katoodi ühendavas vooluringis tekib vool, mida nim anoodvooluks. (lk 16)
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites.
Pool juhtide eritakistus jääb dielektrikute ja täisjuhtide eritakistuse vahelee. Germaanium (temperatuuri kartlik , pinge kartlik ja suht kallis) ja räni(paremate näitajatega) on pooljuhtide ,,emad". Räni maakoores on 27% räni, sulamise temp. 1415kraadi. Kõik ained mille väliskihis on 4 elektroni on pooljuhid. Ioon on laenguga aatom, st, et ta on oma elektronide väliskihist loovutanud ühe elektroni ja tegemist on positiivse iooniga, kui juhtub, et tuleb 1 elektron juurde sii on tegemist negatiivse iooniga. Energeetiline keelutsoon erinev ainete lõikes, annab energiat elektronide liikumiseks mujale Ge 0,73eV Si 1,1 eV eV elektron volt Juhtivus elektronid temperatuuri tõusmisel teatud piirini saavad elektronid juurde energiat ja elektronid pääsevad vabalt liikuma. Koht kus elektron lahkub tahavad teised elektronid tulla. www.hkhk.edu.ee/alaldamine P juhtivus ehk aukjuhtivus negatiivne lisandjuhtivus N juhtivusega pooljuhtivus
Need millised on ülemuses ja millest tuleneb pooljuhi nimetatakse enamus laengukandjateks, teised vähemus laengukandjad. Enamuslaengukandjad on pärit lisandilt. Vähemus laengukandjad omajuhtivuselt. Tulemusena sõltub enamus laengukandjate vool mõnevõrra temperatuurist. Vähemus laengukandjad väga tugevalt temperatuurist. Skeem on toodud P-pooljuhi põhiselt. N-pooljuhil on auk ja elektron skemaatiliselt vahetuses. 1.2 PN-Siirde omadused Kui pooljuht kristalli juhtivusega tsoonid tekib PN-siire, mille omadused on aluseks enamikele pooljuht seadiste tööle. Taolised kristallid P-osas on suurem osa auke N osas, aga elektrone. 1.3 Temperatuuri toime PN siirde omadustele Teatavasti on vähemus laengukandjad kõik pärit omajuhtivusest, mis sõltub väga tugevalt temperatuurist
on see niinimetatud läbilaskeriba erinev ja ta võib olla nii madal- kui kõrgsageduspiirkonnas. Enamasti leiab selline võimendi kasutamist teatud sagedusega signaalide eraldamiseks ehk selekteerimiseks. K Joon.1.4 fm fk f f Võimendeid iseloomustatakse järgmiste parameetritega: a) Võimendustegur, U välj K= - on suhtarv mis näitab mitu korda võimendi toimel U sis väljundsignaali amplituud suureneb. Eristatakse pingevõimendustegurit, vooluvõimendustegurit ja võimsusvõime ndustegurit.. Ki = Ivälj / Isis, Ku = Uvälj / Usis, Kp = Pvälj / Psis. Mitmeastmelise võimendi korral Küld = K1 K2...Kn , kus K1...Kn on vawstavalt üksikute astmete võimendustegurid.
Tallinna Tehnikaülikool Elektriajamite ja Jõuelektroonika instituut Üliõpilane: Rait Rääk Teostatud: 14.03.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 3 OT Bipolaartransistor ühisemitteriga lülituses Töö eesmärk: Töövahendid: Ühisemitteriga lülituses transistori Transistor, toiteallikas, potentsiomeetrid, tunnusjoonte määramine ja ampermeetrid, voltmeetrid. nende kasutamise oskuste arendamine. Skeem Teooria Transistor on kolme väljastusega täielikult tüüritav pooljuhtseadis. Tööpõhimõtte järgi jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar ehk väljatransistorideks (jutivuses osalevad elektronid või augud). Järgnevalt vaatleme
Pilet 1. 1. Valgusdioodid Valgusdiood on pn-siirdega diood, mis muudab elektrienergiat optiliseks kiirguseks tavaliselt spektri nähtavas või infrapunases osas. Teatud ainete kristallis moodustatud pn-siirde päripingestamisel (pluss p-kihil) injekteeruvad augud n-kihti ning elektronid vastassuunas. Need injekteerunud augud ja elektronid rekombineeruvad pn-siirdes ja selle läheduses vastasmärgiliste laengukandjatega ning osa vabanevast energiast eraldub kiirgusena. Kuna p-kiht on kõigest mõne mikromeetri paksune, siis väljub kiirgus kristallist
B andur R takistus kondensaator r raadius D digitaalseade S lipistus G generaator s operaator L reaktor, drossel T periood, ajakonstant M mootor t aeg R takisti U pinge S lüliti v kiirus T trafo X reaktiivtakistus VD diood x,y tasandi teljed VS türistor z vahemuutuja VT transistor Z näivtakistus Z koormus W energia A pindala W(s) ülekandefunktsioon a kiirendus w keerdude arv B induktsioon tüürnurk C mahtuvus , staatori teljed cos võimsustegur eelnemisnurk
..........................................5 1.9.Varikap.................................................................................................................5 1.10.Bipolaartransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid...........................5 1.11.Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid................................6 1.12.Mis on JFET (pn-siirdega väljatransistor)..........................................................6 1.13.Mis on türistor?.................................................................................................. 7 1.14.Fotoresistor.........................................................................................................7 1.15.Fotodiood........................................................................................................... 7 1.16.Päikeseelement...................................................................................................7 1.17
Kordamisküsimused 1. Mis on Ohmi seadus? U=R*I 2. Mis on pingejagur? Etteantud parameetritega pingejaguri arvutamine. Pingejagur – alalis- või vahelduvpinget osadeks jagav elektriseade. 3. Elektriahela võimsus. U2 2 P=U∗I = =I ∗R R 4. Edissoni efekti olemus? 5. Elektronlambid (diood, triood, tetrood …) ja nende tööpõhimõte? diood ‒ kahe elektroodiga (katood, anood); triood ‒ kolme elektroodiga (katood, võre, anood); pentood ‒ viie elektroodiga (katood, tüürvõre, varivõre, sulgvõre, anood). Tetrood – nelja kanaliga Dioodi tööpõhimõte Töötamisel lastakse vool läbi nikroomist hõõgniidi, mis kuumutab katoodi 800...1000 °C kraadini. Kuum katood eraldab elektrone vaakumisse, protsess, mida nimetatakse termoemissiooniks. Katood on kaetud
Kaks skeemi, nende omadused. 41. A-klassi võimsusvõimendusastme skeem ja omadused. 42. B-klassi SAMA TEEMA.^^^ 43.Mis on lõikenurk ja võimenduse klassid ? Milliseid võimenduse klasse on? 44. Sobitustrafo ja selle ülesanne . Kuidas arvutatakse sobitustrafo ülekandetegurit? 45. Mis on positiivne ja mis on negatiivne tagasiside? Nende omadused. Tagasisidetegur ja tagasiside sügavus. Tagasisidestatud võimendi võimendusteguri valem. VASTUSED YO 25. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. On võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n Tööpõhimõte : väikese takistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegu samasuurtena üle suure takistusega kollektorringi ning kollektorringi lülitatud
2 väljund klemmi millega ühendatakse see objekt millele antakse võimendatud signaal. Peale selle vajab võimendi ka toiteallikat, mille energia arvel toimub võimendus protsess. Võime vaadelda ka nii, et võimendi on regulator mis juhib toiteallika energiat tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Sõltuvalt sellest milliseid võimendus elemente kasutatakse on olemas erinevaid võimendeid. Elektriliste signaalide võimendamiseks kasutatakse: transistor võimendeid, elektronlamp võimendeid, magnet võimendeid ja eletrimasin võimendeid. Väga levinud on võimendite liigitus kasutus otstarbel ja sagedus omaduste järgi sest kasutusvaldkond sõltub suuresti võimendi sageduslikest omadustest. Üks levinumaid võimendi liike on helisagedusvõimendi. Helisagedusvõimendi on kujuntatud kasutamiseks heliseadmetes. See tähendab ta peab suutma võimendada helisagedusega signaale. Joonis 1.1.2
3. Pooljuhtseadised (dioodid, bipolaartransistorid, väljatransistorid, türistorid)............................... 23 4. Optoelektroonika elemendid, infoesitusseadmed.......................................................................... 42 5. Analoogelektroonika lülitused....................................................................................................... 60 5.1. Elektrisignaali võimendamine. Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement.............. 60 5.2. Võimendusastmed bipolaartransistori baasil.......................................................................... 62 5.3. Võimendusastmed väljatransistoride baasil............................................................................ 73 5.4. Tagasiside võimendites.......................................................
tekitatud laengukandjad. Enamus- ja vähemuslaengukandjad. Laengu kompenstatsioon ja kristalli elektriline neutraalsus. Vabade elektronide ja aukude tege puhtas (legeerimata) pooljuhis. Räni ja germaaniumi iga aatomi väliskihis on neli valentselektroni, millest igaüks tiirleb ühtlasi ümber naaberaatomi. Neis ainetes paiknevad aatomid või molekulid üksteise suhtes korrapäraselt, moodustades kristallvõre, mida on siis näha hetkel kahel joonisel. Ühel on ära näidatud, kui tekib vaba elektron, mis tavaliselt tekib siis, kui me lisame aatomi struktuuri mingit teist ainet. Antud juhul siis ränile fosforit. Auk on aga puuduv side aatomite vahel. Elektron-aukpaaride kontsentratsiooni sõltuvus temperatuurist. absoluutsest nullist kõrgemal temperatuuril lahkub osa aatomist, muutudes vabadeks elektronideks. Lahkunud elektroni kohta kovalentsidemes nimetatakse auguks. Seega põhjustab elektronide üleminek ühest sidemest teise aukude vastassuunaline liikumine. Puhtas
4V 45. Mitu iooni on dipoolis? 2 46. Kuidas nimetatakse kristalli piirkonda p-tüüpi ja n-tüüpi osade vahel? pn-siire 47. Millist nähtust nimetatakse laviiniefektiks? Reversivne ülepinge 48. Kuidas nimetatakse pinget, mille juures tekib laviiniefekt? Läbilöögipinge 49. Millist nähtust nimetatakse Zeneri efektiks? Reversivne ülepinge 50. Kuidas nimetatakse pinget, mille juures tekib Zeneri efekt? Zeneri pingeks 5.2.1. Küsimused dioodidest ja türistoridest 1. Mis liiki seadis on diood? Mitte linearne 2. Kuidas on mittejuhtiv diood eelpingestatud? Vastu pingestatud 3. Mis liiki takistus on dioodil? Põhitakistus 4. Kas on see hea, kui dioodi pingelang on väike? Jah 5. Kuidas on diood eelpingestatud, kui dioodi vool on suur? Otse pigestatud 6. Millist pinget nimetatakse dioodi põlvepingeks? 7. Milline on dioodi lekkevool võrreldes pärivooluga? Lekkevool väiksem pärivooluga 8. Milline näeb välja dioodi karakteristik ülalpool põlve? Peaaegu vertikalne 9
infrapunases spektrialas. Fotodiood on pooljuhtdiood, mille pn-siirde piirkonda langev valgusvoog tekitab seal laengukandjaid (elektron-auk-paare). Siirde elektriväli eraldab tekkinud elektronid ja augud nii, et viimased kogunevad p-kihti, elektronid aga jäävad n-piirkonda. Seetõttu tekib dioodi viikude vahel potentsiaalide vahe mida nimetatakse fotoelektro- motoorjõuks. Seda saab kasutada fotovoolu tekitamiseks dioodiga ühendatud koormustakistis R (joonis 4.3 a). Antud juhul töötab diood fotogeneraatorina. Fotodioode saab kasutada ka fotomuundurina koos välise toiteallikaga, mille pinge rakendatakse dioodile tõkkesuunas (joonis 4.3 b). Valgustuse puudumisel läbib dioodi nõrk vastuvool IR (pimevool). Siirdele langeva valguse mõjul tema juhtivus suureneb ning vastavalt tugevneb ka teda läbiv üldvool. Vool kasvab seda enam, mida tugevam on valgusvoog. Selles reziimis on inerts väga väike ja fotodioodi saab kasutada
Impulss tehnika alused Impulss tehnikaks nimetatakse seda elektroonika osa, mis tegeleb impulsiliste saame 0tasemelise piiramise ülalt. Kui aga meil on dioodiga järjestiku pingeallikas, siis ei avane diood signaalide genereerimise, formeerimise ja võimendamisega. Impulsilisi signalle kasutatakse digitaal mitte väikeselisel positiivsel pingel vaid alles siis kui sisend pinge saab pingeallika pingest tehnikas, ning ka signaalide edastamisel, kui sinuselist signaali iseloomustatakse kolme parameetriga, positiivsemaks. Seega määrab kasutatav pingeallikas piiramis nivoo. Täpsemalt tuleb arvestada ka need on :Amplituud, Sagedus, Algfaas
Võimendi väljundisse ühendatav tarbija võib olla kas valjuhääldi (3-30V), mingi mootori juhtme, mingi relee mähis. Võimendeid liigitatakse mitme tunnuse alusel: 1. Signaali olemus vaadeldava kursuse raames käsitletakse elektriliste signaalide võimendeid, kuid on ka olemas hüdrovõimendid (auto pidurivõimendi, roolivõimendi, neomovõimendid[lenukitelik, veoauto pidurid]) 2. Sõltuvalt selleks milliseid võimenduselemente kasutatakse (lampvõimendid, transistor võimendid, integraalvõimendi) 3. Signaali iseloomujärgi · madalsegedusvõimendid helivõimendid helisageduslike sageduste võimendamiseks, iseloomulik et nad toimivad helisageduste piirkonnas (20 Hz-20KHz) · alalispingevõimendi ( 0-3..5KHz) põhiline kasutamis ala on automaatikas, andurite puhul mille väljund on alalispinge (termopaar,
laengukandjate rekombinatsiooni tõttu. Vooluläbimisel pn- siiret, osa elektrone muudavad 1. JOONIS123 Neljakihiline struktuur, energiat, vahetavad orbiite, vabaneb energiat ning vabanev energia kiiratakse valgusena. n: kolm siiret, (nagu 2 transsi pnp ja npn, infrapunane. Algul vaid peen valgus praegu olemas kollane, sinine, roheline. Pinge umbes 2V. kus pnp kollektor =npn baas ja npn valmistatakse (gallium arseeniid fosfiid). Kasutatakse optronites (valgusallik+valguse vastuvõtja). kol=pnp baas), sisemine pos tagasiside, Dioodoptron kiireim 10-8s. Inertsivaba ja saab ise valida spektri. neg pinge puhul blokeerub. K-|p|n|p|n|-A. 2. Võimendus astme põhiparameetrid: Ku=Uvalj/Usis, Ki=Ivalj/Isis, KP=Pvalj/Psis=Ku*Ki. Vahend voolu sisse-välja lülitamiseks,
see protsess peab toimuma võimalikult ilma signaali moonutusteta. Võimendamise protsess toimub toiteallika energia arvel ja sellest tulenevalt me võime vaadelda võimendit kui regulaatorit või ventiili, mis juhib toiteallika võimsust tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Võimendeid liigitatakse mitmesuguste tunnuste alusel. Nii võib liigitada võimendeid sõltuvalt sellest millist võimendus elementi kasutatakse vastavalt sellele on olemas lampvõimendid, transistor võimendid ja intergraal võimendid. Sõltuvalt sellest kas põhiliseks võimendatavaks parameetriks on pinge, vool või võimsus eristatakse pinge, voolu ja võimsus võimendeid. Väga levinud on liigitada võimendeid eel ja lõppvõimenditeks. Eelvõimendi ülesandeks on suurendada signaali pinget või voolu sel määral, et sellest piisaks lõppvõimendi tüürimiseks ehk võib ka öelda et eelvõimendi väljund ühendatakse lõppvõimendi sisendiga.
emitteriga trans baasi ahelas asendab DTL-s dioode, kui kas või üks em maas, siis baasi vool maha 3NAND. TTL aeglane: 10ns ümberlülitus. TTLS-kiirem. T1 asemel mitu BT-i mis võivad küllastuda, so hakata aeglaselt ümber lülituma 12pdf 3. kiireim ja lihtne, kallis sest head komparaatorid kallid ja vaja palju, 3 järgu jaoks vaja 7-t. 2kordse integreerimisega. 14pdf 4. suured voolud madalad pinged. Mähkida sekundaarmähis kahe traadiga korraga. Sekund- mähisel keskelt väljavõte. Diood üleval/all, alumine ühendatud ülemise ette. Tarbija ülemise mähise peal. Ud=0.9U2. q1=0.67=1/m2-1, m-pulsatsioonide arv alaldatava pinge perioodide peal. 10pdf 5. ÜK-lülitus. Trans üles, lin. elem. alla. Takisti pingelang=väljund Usis>~Uvalj. Pinge järgi võimendust pole, voolu järgi küll. Tänu suurele sisendtakile kas puhvrina. Sign arvutusel Emitterist läbi RE maha. Rsis on suur=h11e+(1+h21e)RE~ 5pdf Pilet 11. 1. alaldava siirde tekkimise tingimus 2
Eelvõimendi astmed võimendavad signaali allika pinge samale tasemele signaalidega mis saabuvad teistest sisenditest. Mikrofonivõimendi Väikese sisendpinge tõttu peab mikrofoni võimendi nagu ka gramafoni võimendi olema võimalikult madala müratasemega seepärast tuleb kasutada võimalikult väikese omamüraga ja suure h21E suurusega räni transistore(nt KT3102DE , tema vanem varjant on KT342D). Transistorid on vaja rakendada tööle mikrovoolu reziimis st nõrga kollektor vooluga valides IC suuruseks. Ic=25...250A. Suurema takistuslike mikrofonide korral tuleb valida väiksem Ic suurus. Autonoomse toitega võimendus aste 6.2A ABO lk 302 on mõeldud mikrofonide tundlikuse suurendamiseks ja ühendatakse väikese plekk varje sisse paigutatuna mikrofonijuhtme ja selle pistiku vahele. Madala mürataseme saavutamiseks tuleb eelnimetatud skeemil takisti R1 abil seada transistori toitevooluks 0,15-0,25mA. Müravaese transistori võimendusastme (6
·Oluline ka mähisetraadi läbimõõt määrab max. voolutugevuse. ·Kasutusalad: trafod, mootorid, signaaliahelates, häirete sunteerimisel, jne ·Paralleel- ja järjestikühendus. Induktiivtakistus Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 16 Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 17 Induktiivpoolide rakendusi Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 18 Diood ja tema sõbrad · Juhib voolu vaid ühes suunas. On pooljuhtelement · Skeemisümbol, tähis tavaliselt D ka VD · Parameetrid: päripingelang (eriti oluline suurte võimsuste puhul), töösagedus, max. vastupinge, max. pärivool, lekkevool (vastuvool) · Ehituselt üsna erinevaid korpusi · LED on samuti diood · LEDi juhitakse vooluga aga on ka min. pinge mille puhul veel helendab: punane -1,6V; sinine - >2V, valge: ca 3V · Kiirgab kui ühendatud päripidi. · Max. pärivool, pinge.
7.Bipolaartransistor kui lüliti. Bipolaartransistoride germaaniumist või ränist pooljuhtstruktuur koosneb kolmest p- ja n-juhtivustüübiga kihist (pnp- või npn-struktuur) ning kahest nendevahelisest pn-siirdest. Ühe pn-siirde (näit emittersiirde) voolu muutumine põhjustab teise siirde (kollektorsiirde) takistuse muutumise. Bipolaartransistori tööks on vajalik erimärgiliste laengukandjate (neg elektronide ja pos aukude) olemasolu pooljuhis. 8.MOP-transistor. Metall-Oksiid-Pooljuht transistor. n ja p-kanaliga. 9.Pooljuhtdiood. Harilikult ühe pn-siirde või metall-pooljuhtkontaktiga ja kahe väljaviiguga pooljuhtseadis elektriliste suuruste muundamiseks. On töökindlad, kiiretoimelised, väikesed ja kerged ning tarbivad vähe võimsust. Kasut. Vahelduvvoolu alandamiseks, sageduse muundamiseks jne. 10.Dioodloogika. Võimendust teha ei saa, suuri pingeid sisse lasta pole ka mõtet. Dioodloogika realiseerib fakti, et
KT1 A2 KE2 Joonis 4.10. Jadaergutusega mootori pöörlemissuuna muutmine ankrumähise ümberlülitamisega Reostaatkäivituse ja reostaatreguleerimise näiteks on ka faasirootoriga vahelduvvoolumootori juhtimislülitus (joonis 4.11). Mootori rootoriahelasse on lülitatud takistid R1 ja R2, mida lühistatakse kontaktidega K1, K2 ja K3. Kahe takistuse R1 + R2 jadaühendusele vastab mootori mehaaniline tunnusjoon 1 (joonis 4.8, b). Suletud kontaktide K2 puhul jääb rootoriahelasse takisti R2, millele vastab mehaaniline tunnusjoon 2. Suletud kontaktide K3 puhul on rootoriahel lühistatud millele vastab mootori loomulik mehaaniline tunnusjoon 3. Mootori reostaatkäivitamisel suletakse kontakte K1…K3 kas sõltuvalt ajast, voolust või 117 momendist. Mootori tööpunkti muutumine mehaanilistel tunnusjoontel 1…3 on joonisel näidatud nooltega.
............................................................................................................ 17 3.6. Kolmefaasiline vahelduvvool ............................................................................................ 19 3.7. Elektrienergia muundamine mehaaniliseks energiaks. ..................................................... 20 3.8. Elektrilised täiturid ............................................................................................................ 22 3.8.1. Diood .............................................................................................................................. 22 3.8.2. Transistor ........................................................................................................................ 23 3.8.3. Türistor ........................................................................................................................... 23 4. Elektrimootorid .................................................................
Vahelduvvoolu korral räägitakse näivtakistusest, mille moodustavad aktiivtakistus ja reaktiivtakistus (mahtuvustakistus ja induktiivtakistus). Takistus põhjustab pingelangu. Vooluahela kogutakistus võrdub kõikide takistite takistuste summaga. Kogutakistuse arvutamisel jadamisi olevate takistite takistused liidetakse: R = R1 + R2 + .... Ri. Rööbiti ühendatud takistite kogutakistus leitakse valemiga: 1/R = 1/R1 + 1/R2 + .... 1/Ri. 2.8 Diood Diood on elektroonikas kasutatav komponent, mille eesmärk on tagada vaid ühesuunaline elektrilaengute liikumine. Põhimõtteliselt lubab diood elektrivoolul liikuda ühes suunas, aga takistab selle liikumist teises suunas. Dioodi võib seega ette kujutada tagasilöögiklapi elektroonilise analoogina. Pooljuhtdioodi tööpõhimõte seisneb P- ja N-tüüpi pooljuhtide ühendusel tekkiva PN-siirde omadusel juhtida voolu pärisuunas (P pooljuht positiivse
võivad esineda järgmised olukorrad: 1) juhtivustsooni ja valentstsooni ekstreemumid ei ole kohakuti; 2) sõltuvusel E = f(p) võib olla mitu ekstreemumit; 3) ühele ja samale impulsile võib vastata mitu energia väärtust. Illustratsiooniks on toodud Si tsoonidiagramm kahes eri suunas (joonis 2.5). Iseloomulk on, et tsoonide ekstreemumid ei ole kohakuti. Võrdluseks GaAs-s on need kohakuti. See asjaolu määrab ära mõned olulised pooljuhtmaterjali optilised omadused. Kui elektron liigub elektriväljas, siis ta muudab nii oma koordinaati kui ka energiat, minnes ühelt nivoolt teisele (joonis 2.13a). Seejuures tema kineetiline energia kasvab eU võrra (U on elektrivälja 6 pinge), potentsiaalne energia aga väheneb sama suuruse võrra. Kogunenud kineetilise energia võib elektron kaotada hajutamise käigus ja pöörduda tagasi algnivoole. Tihti on mugavam näidata teljel koguenergiat E, millest on lahutatud elektrivälja energia eU, seega E-eU (joonis 2.13b)
omajuhtivusest ehk n-tüüpi juhtivusest. Mida kõrgemale tõsta pooljuhi temperatuuri, seda suurem on lõhutud kovalentsete sidemete arv ja seda suurem on vabade laengukandjate arv. See aga tähendab, et keemiliselt puhaste pooljuhtide eritakistus väheneb temperatuuri tõusmisel. Ses suhtes on pooljuhid metallidest erinevad, sest metallide eritakistus suureneb temperatuuri tõusmisel. Kui puhtas, kristallilise ehitusega pooljuhis, saab elektron energia mis on vajalik kovalentse sideme purustamiseks, siis elektron "lahkub" oma kohalt, mille tulemusel rikutakse kristalli elektroneutraalsus selles kohas. Kohas, kust elektron lahkus, tekib positiivse laengu ülejääk, moodustub positiivne auk. See positiivne auk käitub nagu laeng, mis on absoluutväärtuselt võrdne elektroni laenguga. Elektroni lahkumisest tekkinud auku võib liikuda naaberelektron, see on aga samaväärne sellega, et nihkus positiivne auk.Välise elektrivälja
esitatakse elementaardisjunktsioonide konjunktsioonina. Kui funktsiooni disjunktiivse normaalkuju iga elementaarkonjunktsioon sisaldab kõiki muutujaid, nimetatakse funktsiooni esitusviisi tema täielikuks disjunktiivseks normaalkujuks (TDNK). Täielikku disjunktiivset normaalkuju on hõlpus leida loogikafunktsiooni oleku- ehk tõeväärtustabelist. 4 Loogikaelemendid Dioodelement VÕI Kui ühes sisendis on loogiline üks, siis vastav diood avaneb ning vool läbib avanenud dioodi ja takistit R1. Takistil tekib kõrge pinge ehk loogiline üks. Pinge on selline, et ülejäänud dioodid on suletud. Kui loogiline üks on mitmes sisendid, siis kõik vastavad dioodid avanevad ja väljundis on üks. Kui kõigis sisendites on null, siis on kõik dioodid suletud ja väljundis on loogiline null. Lülituse puuduseks on see, et pole võimalik saada võimendust ja kuna igale dioodile jääb dioodi päripinge lang, siis
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
