Vahelduvvool jätta 50 Hz Vahelduvvool sagedusega 50 Hz Klemm Vahelduvvool sagedusalaga 100…600 kHz 100...600 kHz Klemmirida Kolmefaasiline neutraaljuhiga 3/N 230 / 400 V 50 Hz vahelduvvoolusüsteem 230/400 V, 50 Hz Pistikühendus. Vasakul haard-, paremal sõrmkontakt Kolmefaasiline TN-S- 3/N 50 Hz / TN-S vahelduvvoolu-juhistik, 50 Hz 5
Tarviti elektriseade, mis on ettenähtud elektrienergia muundamiseks teisteks energialiikideks, nt valguseks, soojuseks või mehaaniliseks energiaks. Tugevvoolupaigaldis elektripaigaldis, mis sisaldab seadmeid elektrienergia tootmiseks, muundamiseks, salvestamiseks, edastamiseks, jaotamiseks ja/või energeetiliseks kasutamiseks. 2 Tingmärke: juhe või liin (üldtähis) kaitsejuht (PE) teisaldatav juhe, kaabel neutraaljuht (N) 3-juhtmeline liin PEN-juht 3 näide: liin 3 faasijuhist, 1 sama, lihtsustatult neutraaljuhist, 1 kaitsejuhist
Joonis 3.12. Laengukandjate kulg pingestatud npn-transistoris [3]. Transistori kasutamisel elektrisignaali võimendamiseks võib võimendamisele kuuluva nõrga sisendsignaali anda kas baasile või emitterile. Võimendatud signaal (väljundsignaal) võetakse enamasti kollektoriahelasse ühendatud koormustakistilt RL. Vastupingestatud kollektorsiire toimib vooluallikana, mille sisetakistus on kümnetes kilo- oomides (kui transistor ei ole küllastuses). Täpsemalt võttes moodustub kollektorivool kahest komponendist - emitterist injekteeruvatest laengukandjatest tulenev vool ja kollektori vastupingest põhjustatud väga väike kollektor-baasi vastuvool IKB0 (ka: ICB0 või IK0 või IC0), mis ei ole tüüritav, sõltudes üksnes temperatuurist. Sellel joonisel on näidatud emitteri- ja
1. Kuna skeemitehnika võimaldab saada induktiivse iseloomuga ülekandefunktsiooni, siis saab poolide asemel kasutada takisteid. 2. Operatsioonvõimendi suur sisend- ja väike väljundtakistus tagab filtrile sisendi ja väljundi vahelise hea isoleerituse. 3. Kuna aktiivkomponendid võimaldavad signaali võimendamist, siis aktiivfiltrid võimendavad signaali. 23. Püsitakisti, liigitamine, kasutamine, tingmärk. Püsitakistiks nimetatakse kindla takistusega juhti või seadet. Sõltuvalt takisti konstruktsioonist on neid kolme tüüpi: masstakistid, kile ehk kihttakistid ja traattakistid. Masstakisti (süsiniktakisti) – takistava materjalina kasutatakse süsinikku. Süsiniku terad on segatud sideainega, mis juhtivuselt on dielektrik (kvartsliiv). Mida väiksem süsiniku kontsentratsioon seda suurem on takistus. Kiht- ehk kiletakistid – neil on isoleermaterjalist silindriline või risttahuka kujuline südamik, mis on kaetud õhukese takistusmaterjali kihiga
gG-tüüpi sulari: rakendumise aeg: · Statsionaarne- 5s · Liikuv(mittestatsionnarne)- 0,4s Ülesanded: Peakaitsmed on gG-tüüpi 32A, ühefaasiline lühis liitumispunktis on 320A, kaabel liitumispunktist rühmakilpi on 5G6 (5 soont ja 6 mm 2 soon), pikkusega 40 m(0.04km). Rühmakilbist läbi kaitsme C-13 A, läheb juhe pistikupessa, pikkusega 25m(1,5mm 2). Z== ZLK==0,685 Z1== 0,292 3,66: näivtakistus tabelist(4*6) 0,04: juhtme pikkus km 2: liin koosneb 2 juhtmest(edasi ja tagasi) ZRK=ZLK+Z1=0,997 ILK== 224,85A gG 32A 5s(kuna meil ryhmakilp on statsionaarselt paigas), rakendub 150A juures kaitse rakendub!(224,85 A on ja kaitse vajab rakendumiseks 150A) Z2=14,62*0,025*2=0,731 Kogutakistus: Zpesa Zpesa=ZRK+Z2=1,708 Ipesa==128,45A Et C12A rakenduks on vaja 130A ehk kaitse ei rakendu Jaotusvõrke liigutatakse tarbija iseloomu järgi- linnavõrk , maavõrk Tööstusvõrku kasutataks- suuremate ettevõtete sisejaotusvõrguna
4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest ............................................................................................................35 4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ....................................................................................................35 4.8. Transistori kolm reziimi .........................................................................................................................................36 4.9. Transistor lüliti reziimis......................................................................................................................................... 37 4.10. Transistori tööpunkti fikseerimine ........................................................................................................................39 4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine ..................................................................................................................40 4.12
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
