Variant 1 Gaaside läbilöögimehhanism - Kui rakendada dielektrikule pinge ja tõsta seda, siis teatud pinge väärtusel tekib 2. elektroodi vahele suure el. juhtivusega kanal. Läbilöök sõltub pinge rakendumise ajast, el.välja kujust, dielektriku mahust, t-st jpm. Läbilöögi iseloomustamiseks kasutatakse väljatugevuse mõistet El = Ul/h [kV/m] Ühtlases el.väljas iseloomustab materjali El elektriline tugevus. Läbilöögile avaldab tugevat mõju el.välja kuju. Pinge tõusul karoona lahendus (1 osalahenduste liikidest) kasvab üle läbilöögiks
4.1 Elektronkatte tekkimine 8 1.4.2 Elektronkihid 8 1.4.3 Valentselektronkiht 8 1.5 Molekulide elektronkate 9 1.6 Kovalentne side 9 1.7 Aukjuhtivus 11 2. ELEKTRIJUHID 12 2.1 Metallid 13 2.2 Elektrijuhtmed ja juhtmematerjalid 14 2.2.1 Mähistraadid 14 2.2.2 Montaazijuhtmed 15 2.2.3 Installatsioonijuhtmed 15 2.2
temperatuuril ja elektrilahendustes, suur elektrijuhtivus 2.2. AATOMID JA IOONID 2.2.1 Elektronide olek aatomis Elektronil on üheaegselt nii massiosakese kui laine omadused.Elektroni koordinaati ja impulssi pole üheaegselt võimalik täpselt määrata. Me võime teada ainult elektroni olekut e. elektroni orbitaali Statsionaarses olekus on elektron ainult teatud kindlatel kvanditud orbitaalidel Kvantarvud peakvantarv n n = 1, 2, 3,…, magnetkvantarv m m = 0, 1, 2,…, l spinnkvantarv s s =+1/2 või s = -1/2 orbitaalkvantarv l l = 0, 1, 2, 3,…, n-1 Pauli printsiibi kohaselt võib aatomis ühes ja samas olekus olla ainult üks elektron. Kaks elektroni aatomis peavad olema vähemalt ühe kvantarvu võrra erinevates olekutes. Ergastamata aatomis asuvad elektronid kõige madalama energiaga statsionaarsetes olekutes.
Seejärel tekib katsekehale ,,kael", pinge hakkab näiliselt vähenema kuni katkemiseni (p F). See on nn tehniline pinge (kõver 1 joonisel 5-5). Tehnilise pinge arvutamisel kasutatakse esialgset ristlõike pindala A0, mis ei ole õige, kuna deformatsiooni käigus ristlõike pindala veidi väheneb. Alates punktist M tekib katsekehas nn ,,kael" ja ristlõike pindala hakkab väga kiiresti vähenema. Tegeliku pinge muutusele vastab joonisel 5-5 kõver 2. 5. Plastiline deformatsioon ja libisemispinnad. Metallide tugevdamise meetodid (5.4,5.5), antud joon 5-9 ja 5-13 Teoreetiliselt peaks täiuslike kristalsete ainete mehaaniline tugevus olema tunduvalt suurem kui katseliselt saadud. Selle üheks põhjuseks on dislokatsioonide esinemine kristallides. Nimelt toimub metallide plastiline deformatsioon just dislokatsioonide liikumise kaudu. Illustratsioon ääredislokatsiooni liikumise kohta jõu toimel on joonistel 5-9 ja 5-10.
Õhus esineb alati teatud määral veeauru.Vesi on tugevalt polaarne madala eritakistusega vedelik, seega halvendab vedeldielektrikusse sattunud või tahke dielektriku pooridesse tunginud vesi tunduvalt dielektriku omadusi. Vee molekul on väga väike , seepärast võib see kergesti tungida väikse polaarsusega materjalidesse, Niiskuskindluse parandamiseks kaetakse tahked isoleermaterjalid mittemärguvate lakkide ja glasuuridega. 2. Isoleermaterjalid ja nende kasutamine 2.1 Gaasid Isomeermaterjalidena leiavad kõige rohkem kasutust õhhhk, lämmastik ja elegaas. Tihti isoleermaterjalidena kasutatavatel gaasidel ka teisi funktsioone, näiteks jahutamine. Kõige sagedamini on gaasilisek sdielektrikuks õhk. Õhk on isoleermaterjaliks näiteks õhuliini juhtmete ja mitmesuguste kõrg- ja madalpingeseadmete voolujuhtiovate osade vahel. Sageli
magnetväli 2.1 Energiatsoonid pooljuhis.Vabade laengukandjate energia sõltuvus impulsist. Pooljuhtide elektrijuhtivus Teatavasti on kristallis aatomite diskreetsed energianivood elektronidele laienenud energiatsoonideks (joonis 2.1). Näiteks Si ja Ge korral on väliskihis 4 elektroni (kaks s ja kaks p elektroni), aga seal on 8 lubatud olekut (nivood): 2 s nivood ja 6 p nivood. Tsoonide moodustamisel jääb 4N nivood valentstsooni ja 4N nivood juhtivustsooni (N on aatomite arv kristallis). Elektronide arv on aga 4N. Seega on kõik valentstsooni nivood täidetud ja juhtivustsooni nivood tühjad (selline on pilt 0 K juures). Valentstsooni elektronid liikuda ei saa, küll aga saavad liikuda kristallis juhtivustsooni elektronid. Seda on kõige lihtsam selgitada elektronide energia sõltuvusega aatomite vahelisest kaugusest (joonis 2.2)
Välja on jäetud mõnede kitsamat huvi pakkuvate seadiste, nagu pöörddioodid, tunneldioodid ja ühesiirdetransistorid, kirjeldused. Käesoleva materjali koostamisel on arvestatud Tallinna Polütehnikumi õppeprogrammi aines "Elektroonika alused". Õppematerjal on koostatud ja välja antud EÜ abistamisprogrammi "Phare" raames. ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 2 PASSIIVELEMENDID 1. TAKISTID Resistor: 1.1. Otstarve, liigid ja põhiparameetrid. Takisti on element mingi soovitava või kindla takistuse tekitamiseks vooluringis. Sellest tulenevalt käsutatakse neid kas voolu piiramiseks või pingelangu tekitamiseks. Takistid võivad olla kas lineaarsed või mittelineaarsed. Lineaartakistite vool on võrdeline talle mõjuva pingega
Variant 1 1. Gaaside läbilöögimehhanism. 2. Dipoolpolarisatsioon tekkemehhanism ja põhilised seosed. 3. Dielektrikukadude kaonurga tangensi definitsioon ja vektordiagramm. 4. Millised materjalid on pehmemagnetmaterjalid? 5. Millises vahemikus asub dielektrikute mahueritakistus? 6. Dielektrikute elektrijuhtivuse mõiste; elektrijuhtivuse seos laengukandjate kontsentratsiooni ja liikuvusega. 7. Mis on aatomite elektronegatiivsus? 8. Materjalide liigitus magnetiliste omaduste põhjal. 9
Kõik kommentaarid